Infineon FRAM 256 kB 2-przewodowy I2C 8-pinowy SOIC

Zobacz wszystkie Pamięć FRAM
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 tuba po 97 sztuk/i)*

1 686,636 zł

(bez VAT)

2 074,539 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • 873 szt. dostępne od 03 września 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.

Produkty
Za jednostkę
Za Tubę*
97 - 9717,388 zł1 686,64 zł
194 - 19415,632 zł1 516,30 zł
291 - 48515,545 zł1 507,87 zł
582 - 97014,553 zł1 411,64 zł
1067 +14,177 zł1 375,17 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
188-5407
Nr części producenta:
FM24W256-G
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Typ produktu

FRAM

Rozmiar pamięci

256kB

Typ złącza

2-przewodowy I2C

Szerokość magistrali danych

8bit

Maksymalny czas dostępu swobodnego

3000ns

Maksymalna częstotliwość zegara

1MHz

Typ montażu

Powierzchnia

Typ obudowy

SOIC

Liczba styków

8

Normy/Zatwierdzenia

No

Wysokość

1.38mm

Długość

4.97mm

Maksymalna temperatura robocza

85°C

Minimalne napięcie zasilania

2.7V

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Liczba bitów w słowie

8

Maksymalne napięcie zasilania

5.5V

Norma motoryzacyjna

AEC-Q100

Liczba słów

32k

FRAM, Cypress Semiconductor


Pamięć o swobodnym dostępie ferroelektrycznym (F-RAM) jest energooszczędna i charakteryzuje się najwyższą niezawodnością nieulotnych modułów pamięci RAM dla interfejsów szeregowych i równoległych. Części z przyrostkiem A są przeznaczone do zastosowań w motoryzacji i posiadają kwalifikacje AEC-Q100.

Nieulotna pamięć RAM

Duża szybkość zapisu

Wysoka wytrzymałość

Niski pobór mocy

Ram (ferroelektryczna pamięć RAM)


Framm (ferroelec Random Access Memory) to pamięć nieulotna, w której do przechowywania danych wykorzystywana jest folia ferroelektryczna. Pamięć F-RAM, posiadająca właściwości pamięci ROM i RAM, charakteryzuje się szybkim dostępem, dużą wytrzymałością w trybie zapisu, niskim zużyciem energii, niezmiennością i znakomitą odpornością na sabotaż. Dlatego jest to idealna pamięć do stosowania na kartach inteligentnych, które wymagają wysokiego poziomu bezpieczeństwa i niskiego zużycia energii, jak również na telefonach komórkowych i innych urządzeniach.

Powiązane linki