Pamięć FRAM 256kbit FM24W256-G I2C 8-pinowy SOIC

Zobacz wszystkie Pamięć FRAM
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 tuba po 97 sztuk/i)*

2 346,915 zł

(bez VAT)

2 886,72 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • 873 szt. dostępne od 12 lutego 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Za Tubę*
97 - 9724,195 zł2 346,92 zł
194 - 19421,751 zł2 109,85 zł
291 - 48521,63 zł2 098,11 zł
582 - 97020,251 zł1 964,35 zł
1067 +19,404 zł1 882,19 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
188-5407
Nr części producenta:
FM24W256-G
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Rozmiar pamięci

256kbit

Organizacja

32K x 8 bitów

Typ złącza

I2C

Szerokość magistrali danych

8bit

Maksymalny czas dostępu swobodnego

3000ns

Typ montażu

Montaż powierzchniowy

Typ opakowania

SOIC

Liczba styków

8

Wymiary

4.97 x 3.98 x 1.48mm

Długość

4.97mm

Maksymalne robocze napięcie zasilania

5,5 V

Szerokość

3.98mm

Wysokość

1.48mm

Maksymalna temperatura robocza

+85°C

Liczba bitów w słowie

8bit

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Liczba słów

32k

Norma motoryzacyjna

AEC-Q100

Minimalne robocze napięcie zasilania

2,7 V

Kraj pochodzenia:
US

FRAM, Cypress Semiconductor


Pamięć o swobodnym dostępie ferroelektrycznym (F-RAM) jest energooszczędna i charakteryzuje się najwyższą niezawodnością nieulotnych modułów pamięci RAM dla interfejsów szeregowych i równoległych. Części z przyrostkiem A są przeznaczone do zastosowań w motoryzacji i posiadają kwalifikacje AEC-Q100.

Nieulotna pamięć RAM
Duża szybkość zapisu
Wysoka wytrzymałość
Niski pobór mocy

.



Ram (ferroelektryczna pamięć RAM)


Framm (ferroelec Random Access Memory) to pamięć nieulotna, w której do przechowywania danych wykorzystywana jest folia ferroelektryczna. Pamięć F-RAM, posiadająca właściwości pamięci ROM i RAM, charakteryzuje się szybkim dostępem, dużą wytrzymałością w trybie zapisu, niskim zużyciem energii, niezmiennością i znakomitą odpornością na sabotaż. Dlatego jest to idealna pamięć do stosowania na kartach inteligentnych, które wymagają wysokiego poziomu bezpieczeństwa i niskiego zużycia energii, jak również na telefonach komórkowych i innych urządzeniach.

Powiązane linki