Infineon FRAM 256 kB 8-pinowy SOIC

Zobacz wszystkie Pamięć FRAM
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 tuba po 97 sztuk/i)*

2 418,307 zł

(bez VAT)

2 974,505 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • 776 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.

Produkty
Za jednostkę
Za Tubę*
97 - 9724,931 zł2 418,31 zł
194 - 19424,257 zł2 352,93 zł
291 - 48523,618 zł2 290,95 zł
582 - 97023,013 zł2 232,26 zł
1067 +22,437 zł2 176,39 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
188-5403
Nr części producenta:
FM24V02A-G
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Rozmiar pamięci

256kB

Typ produktu

FRAM

Szerokość magistrali danych

8bit

Maksymalny czas dostępu swobodnego

450ns

Maksymalna częstotliwość zegara

3.4MHz

Typ montażu

Powierzchnia

Typ obudowy

SOIC

Liczba styków

8

Wysokość

1.38mm

Normy/Zatwierdzenia

No

Długość

4.97mm

Maksymalna temperatura robocza

85°C

Liczba słów

32k

Liczba bitów w słowie

8

Maksymalne napięcie zasilania

3.6V

Norma motoryzacyjna

AEC-Q100

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Minimalne napięcie zasilania

2V

Kraj pochodzenia:
US

FRAM, Cypress Semiconductor


Pamięć o swobodnym dostępie ferroelektrycznym (F-RAM) jest energooszczędna i charakteryzuje się najwyższą niezawodnością nieulotnych modułów pamięci RAM dla interfejsów szeregowych i równoległych. Części z przyrostkiem A są przeznaczone do zastosowań w motoryzacji i posiadają kwalifikacje AEC-Q100.

Nieulotna pamięć RAM

Duża szybkość zapisu

Wysoka wytrzymałość

Niski pobór mocy

Ram (ferroelektryczna pamięć RAM)


Framm (ferroelec Random Access Memory) to pamięć nieulotna, w której do przechowywania danych wykorzystywana jest folia ferroelektryczna. Pamięć F-RAM, posiadająca właściwości pamięci ROM i RAM, charakteryzuje się szybkim dostępem, dużą wytrzymałością w trybie zapisu, niskim zużyciem energii, niezmiennością i znakomitą odpornością na sabotaż. Dlatego jest to idealna pamięć do stosowania na kartach inteligentnych, które wymagają wysokiego poziomu bezpieczeństwa i niskiego zużycia energii, jak również na telefonach komórkowych i innych urządzeniach.

Powiązane linki