Infineon FRAM 512 kB 8-pinowy SOIC

Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Zobacz ceny hurtowe

Suma częściowa (1 tuba po 97 sztuk/i)*

4 515,738 zł

(bez VAT)

5 554,317 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • 388 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.

Produkty
Za jednostkę
Za Tubę*
97 - 9746,554 zł4 515,74 zł
194 - 19444,429 zł4 309,61 zł
291 - 48543,29 zł4 199,13 zł
582 +42,208 zł4 094,18 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
188-5404
Nr części producenta:
FM24V05-G
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Typ produktu

FRAM

Rozmiar pamięci

512kB

Organizacja

64K x 8 bitów

Szerokość magistrali danych

8bit

Maksymalny czas dostępu swobodnego

450ns

Typ montażu

Powierzchnia

Maksymalna częstotliwość zegara

3.4MHz

Typ obudowy

SOIC

Liczba styków

8

Wysokość

1.38mm

Szerokość

3.98mm

Długość

4.97mm

Normy/Zatwierdzenia

No

Maksymalna temperatura robocza

85°C

Norma motoryzacyjna

AEC-Q100

Liczba bitów w słowie

8

Liczba słów

64K

Maksymalne napięcie zasilania

3.6V

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Minimalne napięcie zasilania

2V

Kraj pochodzenia:
US

FRAM, Cypress Semiconductor


Pamięć o swobodnym dostępie ferroelektrycznym (F-RAM) jest energooszczędna i charakteryzuje się najwyższą niezawodnością nieulotnych modułów pamięci RAM dla interfejsów szeregowych i równoległych. Części z przyrostkiem A są przeznaczone do zastosowań w motoryzacji i posiadają kwalifikacje AEC-Q100.

Nieulotna pamięć RAM

Duża szybkość zapisu

Wysoka wytrzymałość

Niski pobór mocy

Ram (ferroelektryczna pamięć RAM)


Framm (ferroelec Random Access Memory) to pamięć nieulotna, w której do przechowywania danych wykorzystywana jest folia ferroelektryczna. Pamięć F-RAM, posiadająca właściwości pamięci ROM i RAM, charakteryzuje się szybkim dostępem, dużą wytrzymałością w trybie zapisu, niskim zużyciem energii, niezmiennością i znakomitą odpornością na sabotaż. Dlatego jest to idealna pamięć do stosowania na kartach inteligentnych, które wymagają wysokiego poziomu bezpieczeństwa i niskiego zużycia energii, jak również na telefonach komórkowych i innych urządzeniach.

Powiązane linki

Dowiedz się jako pierwszy o naszych najnowszych produktach i usługach

Adres e-mail

Dane osobowe przekazane nam podczas zapisywania się na listę mailingową będą przetwarzane zgodnie z naszą polityką prywatności.