Sterownik PWM 1 MHz, wyjścia: 5 Powierzchnia 6-pinowy onsemi 35 V TSOP

Zobacz wszystkie PWM

Suma częściowa (1 rolka po 3000 sztuk/i)*

3 639,00 zł

(bez VAT)

4 476,00 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • Dostępne od 21 września 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Na Rolki*
3000 +1,213 zł3 639,00 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
178-4358
Nr części producenta:
NCP4306DADZZDASNT1G
Producent:
onsemi
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

onsemi

Typ produktu

Sterownik PWM

Maksymalna częstotliwość przełączania

1MHz

Napięcie wyjściowe

11 V

Wykrywanie zerowego zasilania

Nie

Prąd wyjściowy

7A

Liczba wyjść

5

Typ montażu

Powierzchnia

Typ obudowy

TSOP

Minimalne napięcie zasilania

-0.3V

Liczba styków

6

Maksymalne napięcie zasilania

35V

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Typ kontrolera PWM

Synchroniczny prostownik po stronie wtórnej

Maksymalna temperatura robocza

125°C

Długość

3.1mm

Normy/Zatwierdzenia

No

Wysokość

1mm

Seria

NCP

Szerokość

1.7 mm

Norma motoryzacyjna

Nie

Kraj pochodzenia:
MY
NCP4306 to sterownik o wysokiej wydajności zaprojektowany do sterowania synchronicznym prostownikiem MOSFET w zasilaczach w trybie przełączania. Dzięki wysokiej wydajności sterownikom i uniwersalności można go używać w różnych topologiach, takich jak DCM lub CCM flyback, quasi-rezonansowy flyback, resonans do przodu i półmost LLC.

Umożliwia prawidłowe czasowanie włączania i wyłączania SR MOSFET

Maksymalizacja czasu przewodzenia MOSFET w celu zwiększenia wydajności

Umożliwia bezpośrednie połączenie wejścia CS z drenażem MOSFET w zastosowaniach flyback

Poprawia wydajność w zastosowaniach pracujących w głębokim CCM

Wprowadza IC w tryb gotowości o niskim zużyciu energii

Zapobiega przypadkowemu włączeniu lub wyłączeniu MOSFET z powodu dzwonienia

Udoskonalona obsługa w zastosowaniach USB-PD

Szybkie wyłączenie MOSFET w celu zoptymalizowania okresu przewodzenia

Zwiększona stabilność wejścia i wyjścia przy lekkim obciążeniu

Szeroki zakres napięć roboczych na wyjściu

Powiązane linki

Recently viewed