Sterownik PWM 1 MHz, wyjścia: 5 Powierzchnia 8-pinowy onsemi 35 V SOIC

Zobacz wszystkie PWM
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa 100 sztuk/i (dostarczane w postaci ciągłej taśmy)*

244,80 zł

(bez VAT)

301,10 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Koszt dostawy zamówienia na kwotę poniżej 300,00 zł (bez VAT) to 15,90 zł.
Niedobór dostaw
  • 340 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Nasze obecne zapasy są ograniczone, a nasi dostawcy spodziewają się problemów z dostawą.
Produkty
Za jednostkę
100 - 2402,448 zł
250 - 4902,124 zł
500 - 9901,868 zł
1000 +1,697 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
178-4680P
Nr części producenta:
NCP4306AAHZZZADR2G
Producent:
onsemi
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

onsemi

Maksymalna częstotliwość przełączania

1MHz

Typ produktu

Sterownik PWM

Napięcie wyjściowe

11 V

Wykrywanie zerowego zasilania

Nie

Prąd wyjściowy

7A

Liczba wyjść

5

Typ montażu

Powierzchnia

Typ obudowy

SOIC

Minimalne napięcie zasilania

-0.3V

Liczba styków

8

Maksymalne napięcie zasilania

35V

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Typ kontrolera PWM

Synchroniczny prostownik po stronie wtórnej

Maksymalna temperatura robocza

125°C

Normy/Zatwierdzenia

No

Długość

5mm

Szerokość

4 mm

Wysokość

1.5mm

Seria

NCP

Norma motoryzacyjna

Nie

Kraj pochodzenia:
PH
NCP4306 to sterownik o wysokiej wydajności zaprojektowany do sterowania synchronicznym prostownikiem MOSFET w zasilaczach w trybie przełączania. Dzięki wysokiej wydajności sterownikom i uniwersalności można go używać w różnych topologiach, takich jak DCM lub CCM flyback, quasi-rezonansowy flyback, resonans do przodu i półmost LLC.

Umożliwia prawidłowe czasowanie włączania i wyłączania SR MOSFET

Maksymalizacja czasu przewodzenia MOSFET w celu zwiększenia wydajności

Umożliwia bezpośrednie połączenie wejścia CS z drenażem MOSFET w zastosowaniach flyback

Poprawia wydajność w zastosowaniach pracujących w głębokim CCM

Wprowadza IC w tryb gotowości o niskim zużyciu energii

Zapobiega przypadkowemu włączeniu lub wyłączeniu MOSFET z powodu dzwonienia

Udoskonalona obsługa w zastosowaniach USB-PD

Szybkie wyłączenie MOSFET w celu zoptymalizowania okresu przewodzenia

Zwiększona stabilność wejścia i wyjścia przy lekkim obciążeniu

Szeroki zakres napięć roboczych na wyjściu

Powiązane linki