RAM, 16 GB, DDR5, gniazdo: RDIMM, 1.1V
- Nr art. RS:
- 265-8581
- Nr części producenta:
- MTC10F1084S1RC48BA1R
- Producent:
- Micron
Niedobór dostaw
Ze względu na globalne problemy z łańcuchem dostaw nie wiemy, kiedy ten produkt będzie ponownie dostępny.
- Nr art. RS:
- 265-8581
- Nr części producenta:
- MTC10F1084S1RC48BA1R
- Producent:
- Micron
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Micron | |
| Desktop/Laptop | Serwer | |
| Pojemność | 16 GB | |
| Nastawa | 4800MHz | |
| Przemysłowy | Nie | |
| Klasa pamięci | DDR5 | |
| Gniazdo pamięci | RDIMM | |
| Napięcie | 1.1V | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Micron | ||
Desktop/Laptop Serwer | ||
Pojemność 16 GB | ||
Nastawa 4800MHz | ||
Przemysłowy Nie | ||
Klasa pamięci DDR5 | ||
Gniazdo pamięci RDIMM | ||
Napięcie 1.1V | ||
Serwerowa pamięć DRAM Micron DDR5 zwiększa wydajność serwera i stacji roboczej o 85% lub więcej. Technologia DDR5 łagodzi problemy z przepustowością pamięci na rdzeń, aby uzyskać szczytową wydajność obliczeniową i uruchomić więcej maszyn wirtualnych, zwiększając odpowiedź wirtualnych aplikacji. Serwerowa pamięć DRAM DDR5 zwiększyła również przepustowość na rdzeń, zwiększając liczbę szybko rosnących rdzeni procesora o przepustowość i pojemność pamięci, a także umożliwia prawie dwukrotnie większą prędkość transmisji danych niż DDR4.
Początkowa prędkość do 4800 MT/s
W 100% przetestowane podzespoły i moduły
Zmniejszenie napięcia roboczego z 1,2 V do 1,1 V w DDR4
Dostępne wersje RDIMM, ECC UDIMM i ECC SODIMM3
W 100% przetestowane podzespoły i moduły
Zmniejszenie napięcia roboczego z 1,2 V do 1,1 V w DDR4
Dostępne wersje RDIMM, ECC UDIMM i ECC SODIMM3