Intelligent Memory SDRAM IM4G08D3FDBG-107 4 Gb 78-pinowy FBGA-78 kulowe Powierzchnia 16 bit 95 °C -40 °C
- Nr art. RS:
- 588-644
- Nr części producenta:
- IM4G08D3FDBG-107
- Producent:
- Intelligent Memory
Suma częściowa (1 opakowanie po 2 sztuk/i)*
538,88 zł
(bez VAT)
662,82 zł
(z VAT)
Informacje o zapasach są obecnie niedostępne - Sprawdź ponownie później
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 2 + | 269,44 zł | 538,88 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 588-644
- Nr części producenta:
- IM4G08D3FDBG-107
- Producent:
- Intelligent Memory
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Intelligent Memory | |
| Typ produktu | SDRAM | |
| Rozmiar pamięci | 4Gb | |
| Szerokość magistrali danych | 16bit | |
| Liczba bitów w słowie | 8 | |
| Maksymalna częstotliwość zegara | 1066MHz | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 1.25ns | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Typ obudowy | FBGA-78 kulowe | |
| Liczba styków | 78 | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Maksymalna temperatura robocza | 95°C | |
| Wysokość | 1.2mm | |
| Szerokość | 7.5mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | RoHS | |
| Norma motoryzacyjna | AEC-Q100 | |
| Minimalne napięcie zasilania | 1.28V | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 1.45V | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Intelligent Memory | ||
Typ produktu SDRAM | ||
Rozmiar pamięci 4Gb | ||
Szerokość magistrali danych 16bit | ||
Liczba bitów w słowie 8 | ||
Maksymalna częstotliwość zegara 1066MHz | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 1.25ns | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Typ obudowy FBGA-78 kulowe | ||
Liczba styków 78 | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Maksymalna temperatura robocza 95°C | ||
Wysokość 1.2mm | ||
Szerokość 7.5mm | ||
Normy/Zatwierdzenia RoHS | ||
Norma motoryzacyjna AEC-Q100 | ||
Minimalne napięcie zasilania 1.28V | ||
Maksymalne napięcie zasilania 1.45V | ||
- Kraj pochodzenia:
- TW
Inteligentna pamięć DRAM o podwójnej szybkości transmisji danych (DDR) zapewnia wyższą gęstość modułu, szybszą prędkość transmisji danych i niższe wymagania dotyczące napięcia w porównaniu z urządzeniami DDR3. Obsługuje również maskowanie danych na bajt podczas zapisu poleceń, zwiększając zarządzanie danymi i niezawodność.
Programowalna długość wybuchu i opóźnienie CAS
Automatyczne odświeżanie i automatyczne odświeżanie
Poziomowanie zapisu