Micron SDRAM MT53E512M32D1ZW-046BAUT:B 16 Gb 200-pinowy TFBGA Montaż powierzchniowy 32 bit 125 °C -40 °C
- Nr art. RS:
- 696-953
- Nr części producenta:
- MT53E512M32D1ZW-046BAUT:B
- Producent:
- Micron
Suma częściowa (1 sztuka)*
61,10 zł
(bez VAT)
75,15 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
W magazynie
- Dodatkowe 50 szt. dostępne od 01 czerwca 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 1 + | 61,10 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 696-953
- Nr części producenta:
- MT53E512M32D1ZW-046BAUT:B
- Producent:
- Micron
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Micron | |
| Rozmiar pamięci | 16Gb | |
| Typ produktu | SDRAM | |
| Szerokość magistrali danych | 32bit | |
| Liczba bitów w słowie | 32 | |
| Maksymalna częstotliwość zegara | 2133MHz | |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy | |
| Typ obudowy | TFBGA | |
| Liczba styków | 200 | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Maksymalna temperatura robocza | 125°C | |
| Długość | 14.5mm | |
| Wysokość | 1.05mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | RoHS | |
| Seria | MT53E | |
| Szerokość | 10mm | |
| Minimalne napięcie zasilania | 0.57V | |
| Norma motoryzacyjna | AEC-Q100 | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 1.95V | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Micron | ||
Rozmiar pamięci 16Gb | ||
Typ produktu SDRAM | ||
Szerokość magistrali danych 32bit | ||
Liczba bitów w słowie 32 | ||
Maksymalna częstotliwość zegara 2133MHz | ||
Typ montażu Montaż powierzchniowy | ||
Typ obudowy TFBGA | ||
Liczba styków 200 | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Maksymalna temperatura robocza 125°C | ||
Długość 14.5mm | ||
Wysokość 1.05mm | ||
Normy/Zatwierdzenia RoHS | ||
Seria MT53E | ||
Szerokość 10mm | ||
Minimalne napięcie zasilania 0.57V | ||
Norma motoryzacyjna AEC-Q100 | ||
Maksymalne napięcie zasilania 1.95V | ||
- Kraj pochodzenia:
- TW
Wysokowydajne urządzenie Micron LPDDR4 SDRAM zaprojektowane do zastosowań mobilnych i wbudowanych. Wyposażony jest w gęstość pamięci 16 Gbitów, zorganizowany w formacie 512 M x 32 bitów, i pracuje z maksymalną szybkością transmisji danych 4266 MT/s. Urządzenie to idealnie nadaje się do środowisk motoryzacyjnych, oferując niezawodną wydajność i kompaktową obudowę TFBGA o rozmiarze 200 kul.
Zgodność z REACH
Zgodność z RoHS