Silicon Power SDRAM SP016GBSVU560F02 16 Gb 262-pinowy DIMM Otwór przelotowy 32 bit 85 °C 0 °C
- Nr art. RS:
- 859-253
- Nr części producenta:
- SP016GBSVU560F02
- Producent:
- Silicon Power
Ilustracja przedstawia przykład produktu
Suma częściowa (1 sztuka)*
2 459,21 zł
(bez VAT)
3 024,83 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
W magazynie
- Dodatkowe 5 szt. dostępne od 26 października 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 1 + | 2 459,21 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 859-253
- Nr części producenta:
- SP016GBSVU560F02
- Producent:
- Silicon Power
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Silicon Power | |
| Rozmiar pamięci | 16Gb | |
| Typ produktu | SDRAM | |
| Organizacja | 2G x 8 bitów | |
| Szerokość magistrali danych | 32bit | |
| Maksymalna częstotliwość zegara | 5600MHz | |
| Typ montażu | Otwór przelotowy | |
| Typ obudowy | DIMM | |
| Minimalna temperatura robocza | 0°C | |
| Liczba styków | 262 | |
| Maksymalna temperatura robocza | 85°C | |
| Seria | SP01 | |
| Długość | 69.6mm | |
| Wysokość | 30mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | RoHS | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Minimalne napięcie zasilania | 1.1V | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 1.1V | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Silicon Power | ||
Rozmiar pamięci 16Gb | ||
Typ produktu SDRAM | ||
Organizacja 2G x 8 bitów | ||
Szerokość magistrali danych 32bit | ||
Maksymalna częstotliwość zegara 5600MHz | ||
Typ montażu Otwór przelotowy | ||
Typ obudowy DIMM | ||
Minimalna temperatura robocza 0°C | ||
Liczba styków 262 | ||
Maksymalna temperatura robocza 85°C | ||
Seria SP01 | ||
Długość 69.6mm | ||
Wysokość 30mm | ||
Normy/Zatwierdzenia RoHS | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
Minimalne napięcie zasilania 1.1V | ||
Maksymalne napięcie zasilania 1.1V | ||
- Kraj pochodzenia:
- TW
Moduł pamięci Silicon Power zapewnia wyjątkową wydajność i wydajność w wymagających środowiskach obliczeniowych. Został zaprojektowany z myślą o bezproblemowej wielozadaniowości, zwiększając szybkość reakcji systemu i możliwości obsługi danych dzięki zaawansowanej technologii.
Zapewnia błyskawiczną prędkość do 5600 MT/s, zapewniając naturalną transmisję danych
Wykorzystuje niskie napięcie 1,1 V, co skutkuje zmniejszonym zużyciem energii
Zawiera funkcję korekcji błędów włączania (ECC) zapewniającą lepszą niezawodność w porównaniu z poprzednimi generacjami
Wyposażony w podwójne kanały o zoptymalizowanej wydajności zapewniające lepszą wydajność obliczeniową
Zgodność z procesorami Intel Core 13. generacji i płytkami głównymi zgodnymi z DDR5