Winbond Mobilna pamięć LPDDR SDRAM 512 MB 60-pinowy VFBGA Powierzchnia 16 bit 85 °C -40 °C
- Nr art. RS:
- 188-2676P
- Nr części producenta:
- W949D6DBHX5I
- Producent:
- Winbond
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa 10 sztuk/i (dostarczane na tacy/w zasobniku)*
144,64 zł
(bez VAT)
177,91 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 18 sierpnia 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 10 - 20 | 14,464 zł |
| 25 - 45 | 14,086 zł |
| 50 - 95 | 13,726 zł |
| 100 + | 13,384 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 188-2676P
- Nr części producenta:
- W949D6DBHX5I
- Producent:
- Winbond
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Winbond | |
| Rozmiar pamięci | 512MB | |
| Typ produktu | Mobilna pamięć LPDDR SDRAM | |
| Szerokość magistrali danych | 16bit | |
| Szerokość magistrali adresowej | 15bit | |
| Liczba bitów w słowie | 8 | |
| Maksymalna częstotliwość zegara | 200MHz | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 5ns | |
| Liczba słów | 64M | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Typ obudowy | VFBGA | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Liczba styków | 60 | |
| Maksymalna temperatura robocza | 85°C | |
| Długość | 9.1mm | |
| Wysokość | 0.65mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | LVCMOS Compatible | |
| Seria | W949D6DB | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 1.95V | |
| Minimalne napięcie zasilania | 1.7V | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Winbond | ||
Rozmiar pamięci 512MB | ||
Typ produktu Mobilna pamięć LPDDR SDRAM | ||
Szerokość magistrali danych 16bit | ||
Szerokość magistrali adresowej 15bit | ||
Liczba bitów w słowie 8 | ||
Maksymalna częstotliwość zegara 200MHz | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 5ns | ||
Liczba słów 64M | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Typ obudowy VFBGA | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Liczba styków 60 | ||
Maksymalna temperatura robocza 85°C | ||
Długość 9.1mm | ||
Wysokość 0.65mm | ||
Normy/Zatwierdzenia LVCMOS Compatible | ||
Seria W949D6DB | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
Maksymalne napięcie zasilania 1.95V | ||
Minimalne napięcie zasilania 1.7V | ||
- Kraj pochodzenia:
- TW
Jest to 512 MB pamięci DDR SDRAM o niskim poborze mocy, uporządkowane jako 4 MB słów x 4 banki x 16 bitów.
Typ serii: Sekwencyjna lub przerywana
Standardowy tryb samoczynnego odświeżania
PASR, ATCSR, tryb wyłączenia zasilania z impulsem DPD
Programowalna siła sterownika bufora wyjścia
Cztery pakiety wewnętrzne do jednoczesnego działania
Dwukierunkowy stroboskop danych (DQS) jest przesyłany lub odbierany z danymi do użytku do rejestracji danych w odbiorniku
Powiązane linki
- Winbond Mobilna pamięć LPDDR SDRAM 512 MB 60-pinowy VFBGA Powierzchnia 16 bit 85 °C -40 °C
- Winbond Mobilna pamięć LPDDR SDRAM W949D6DBHX5I 512 MB 60-pinowy VFBGA Powierzchnia 16 bit 85 °C -40 °C
- Winbond Mobilna pamięć LPDDR SDRAM 512 MB 90-pinowy VFBGA Powierzchnia 32 bit 85 °C -40 °C
- Winbond Mobilna pamięć LPDDR SDRAM W949D2DBJX5I 512 MB 90-pinowy VFBGA Powierzchnia 32 bit 85 °C -40 °C
- Winbond SDRAM 512 MB 84-pinowy VFBGA Powierzchnia 16 bit 95 °C -40 °C
- Winbond SDRAM W9751G6NB25I 512 MB 84-pinowy VFBGA Powierzchnia 16 bit 95 °C -40 °C
- Winbond SDRAM 1 GB 96-pinowy VFBGA Powierzchnia 16 bit 95 °C -40 °C
- Winbond SDRAM 1 GB 78-pinowy VFBGA Powierzchnia 16 bit 95 °C -40 °C