Infineon SDRAM S27KL0642DPBHI020 64 MB 24-pinowy FBGA-24 kulowe Powierzchnia 8 bit 105 °C -40 °C
- Nr art. RS:
- 273-7512
- Nr części producenta:
- S27KL0642DPBHI020
- Producent:
- Infineon
Obecnie niedostępne
Przepraszamy, nie mamy informacji, czy ten produkt będzie jeszcze dostępny w magazynie. Zostanie on wkrótce usunięty z oferty RS.
- Nr art. RS:
- 273-7512
- Nr części producenta:
- S27KL0642DPBHI020
- Producent:
- Infineon
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Rozmiar pamięci | 64MB | |
| Typ produktu | SDRAM | |
| Szerokość magistrali danych | 8bit | |
| Liczba bitów w słowie | 16 | |
| Maksymalna częstotliwość zegara | 200MHz | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Typ obudowy | FBGA-24 kulowe | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Liczba styków | 24 | |
| Maksymalna temperatura robocza | 105°C | |
| Wysokość | 1mm | |
| Długość | 6mm | |
| Szerokość | 8mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Seria | S27K | |
| Minimalne napięcie zasilania | 1.8V | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 3.6V | |
| Norma motoryzacyjna | AEC-Q100 Stopień 2 i 3 | |
| Prąd zasilania | 360μA | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Rozmiar pamięci 64MB | ||
Typ produktu SDRAM | ||
Szerokość magistrali danych 8bit | ||
Liczba bitów w słowie 16 | ||
Maksymalna częstotliwość zegara 200MHz | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Typ obudowy FBGA-24 kulowe | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Liczba styków 24 | ||
Maksymalna temperatura robocza 105°C | ||
Wysokość 1mm | ||
Długość 6mm | ||
Szerokość 8mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Seria S27K | ||
Minimalne napięcie zasilania 1.8V | ||
Maksymalne napięcie zasilania 3.6V | ||
Norma motoryzacyjna AEC-Q100 Stopień 2 i 3 | ||
Prąd zasilania 360μA | ||
Pamięć DRAM firmy Infineon to szybka, samodzielnie odświeżająca się pamięć DRAM CMOS z interfejsem HYPERBUS. Układ pamięci DRAM wykorzystuje ogniwa dynamiczne, które wymagają okresowego odświeżania. Logika sterowania odświeżaniem wewnątrz urządzenia zarządza operacjami odświeżania na układzie DRAM, gdy pamięć nie jest aktywnie odczytywana lub zapisywana przez interfejs HYPERBUS master. Ponieważ hosta nie jest wymagany do zarządzania żadnymi operacjami odświeżania, układ DRAM wygląda na hosta, jakby pamięć korzystała z komórek statycznych, które zatrzymują dane bez odświeżania. Dlatego pamięć jest dokładniej określana jako pseudostatyczna pamięć RAM.
Maksymalna szybkość zegara 200 MHz
Przepustowość danych do 400 MB/s
Dwukierunkowy stroboskop odczytu i zapisu danych
Motoryzacyjny AEC Q100 klasy 2 i 3
Opcjonalny stroboskop odczytu z wyrównaniem środkowym DDR
DDR przesyła dane na obu krawędziach zegara
Powiązane linki
- Infineon SDRAM 64 MB 24-pinowy FBGA-24 kulowe Powierzchnia 8 bit 105 °C -40 °C
- Infineon Pamięć DDR SDRAM 64 MB 24-pinowy FBGA Powierzchnia 8 bit 105 °C -40 °C
- Infineon Pamięć DDR SDRAM S27KS0643GABHV020 64 MB 24-pinowy FBGA Powierzchnia 8 bit 105 °C -40 °C
- Intelligent Memory SDRAM IM6416SDBATG-6I 64 MB 54-pinowy FBGA Powierzchnia 16 bit 85 °C -40 °C
- Alliance Memory SDRAM AS4C4M16SA-7BCN 64 MB 54-pinowy FBGA Powierzchnia 16 bit 70 °C 0 °C
- Intelligent Memory SDRAM IM6416SDBABG-6I 64 MB 54-pinowy FBGA Powierzchnia 16 bit 85 °C -40 °C
- Intelligent Memory SDRAM IM6432SDBATG-6I 64 MB 90-pinowy FBGA Powierzchnia 16 bit 85 °C -40 °C
- Intelligent Memory SDRAM IM6432SDBABG-6I 64 MB 90-pinowy FBGA Powierzchnia 16 bit 85 °C -40 °C
