Infineon SDRAM S27KL0642DPBHI020 64 MB 24-pinowy FBGA-24 kulowe Powierzchnia 8 bit 105 °C -40 °C

Obecnie niedostępne
Przepraszamy, nie wiemy, kiedy ten produkt będzie ponownie dostępny.
Nr art. RS:
273-7512
Nr części producenta:
S27KL0642DPBHI020
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Rozmiar pamięci

64MB

Typ produktu

SDRAM

Szerokość magistrali danych

8bit

Liczba bitów w słowie

16

Maksymalna częstotliwość zegara

200MHz

Typ montażu

Powierzchnia

Typ obudowy

FBGA-24 kulowe

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Liczba styków

24

Maksymalna temperatura robocza

105°C

Seria

S27K

Normy/Zatwierdzenia

No

Wysokość

1mm

Szerokość

8mm

Długość

6mm

Prąd zasilania

360μA

Norma motoryzacyjna

AEC-Q100 Stopień 2 i 3

Maksymalne napięcie zasilania

3.6V

Minimalne napięcie zasilania

1.8V

Pamięć DRAM firmy Infineon to szybka, samodzielnie odświeżająca się pamięć DRAM CMOS z interfejsem HYPERBUS. Układ pamięci DRAM wykorzystuje ogniwa dynamiczne, które wymagają okresowego odświeżania. Logika sterowania odświeżaniem wewnątrz urządzenia zarządza operacjami odświeżania na układzie DRAM, gdy pamięć nie jest aktywnie odczytywana lub zapisywana przez interfejs HYPERBUS master. Ponieważ hosta nie jest wymagany do zarządzania żadnymi operacjami odświeżania, układ DRAM wygląda na hosta, jakby pamięć korzystała z komórek statycznych, które zatrzymują dane bez odświeżania. Dlatego pamięć jest dokładniej określana jako pseudostatyczna pamięć RAM.

Maksymalna szybkość zegara 200 MHz

Przepustowość danych do 400 MB/s

Dwukierunkowy stroboskop odczytu i zapisu danych

Motoryzacyjny AEC Q100 klasy 2 i 3

Opcjonalny stroboskop odczytu z wyrównaniem środkowym DDR

DDR przesyła dane na obu krawędziach zegara

Powiązane linki

Dowiedz się jako pierwszy o naszych najnowszych produktach i usługach

Adres e-mail

Dane osobowe przekazane nam podczas zapisywania się na listę mailingową będą przetwarzane zgodnie z naszą polityką prywatności.