Infineon SDRAM S27KL0642DPBHI020 64 MB 24-pinowy FBGA-24 kulowe Powierzchnia 8 bit 105 °C -40 °C
- Nr art. RS:
- 273-7512
- Nr części producenta:
- S27KL0642DPBHI020
- Producent:
- Infineon
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 tacka po 338 sztuk/i)*
3 577,392 zł
(bez VAT)
4 400,084 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 24 czerwca 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Tackę* |
|---|---|---|
| 338 - 676 | 10,584 zł | 3 577,39 zł |
| 1014 + | 10,169 zł | 3 437,12 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 273-7512
- Nr części producenta:
- S27KL0642DPBHI020
- Producent:
- Infineon
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Typ produktu | SDRAM | |
| Rozmiar pamięci | 64MB | |
| Szerokość magistrali danych | 8bit | |
| Liczba bitów w słowie | 16 | |
| Maksymalna częstotliwość zegara | 200MHz | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Typ obudowy | FBGA-24 kulowe | |
| Liczba styków | 24 | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Maksymalna temperatura robocza | 105°C | |
| Seria | S27K | |
| Wysokość | 1mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Długość | 6mm | |
| Szerokość | 8 mm | |
| Minimalne napięcie zasilania | 1.8V | |
| Norma motoryzacyjna | AEC-Q100 Stopień 2 i 3 | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 3.6V | |
| Prąd zasilania | 360μA | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Typ produktu SDRAM | ||
Rozmiar pamięci 64MB | ||
Szerokość magistrali danych 8bit | ||
Liczba bitów w słowie 16 | ||
Maksymalna częstotliwość zegara 200MHz | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Typ obudowy FBGA-24 kulowe | ||
Liczba styków 24 | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Maksymalna temperatura robocza 105°C | ||
Seria S27K | ||
Wysokość 1mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Długość 6mm | ||
Szerokość 8 mm | ||
Minimalne napięcie zasilania 1.8V | ||
Norma motoryzacyjna AEC-Q100 Stopień 2 i 3 | ||
Maksymalne napięcie zasilania 3.6V | ||
Prąd zasilania 360μA | ||
Pamięć DRAM firmy Infineon to szybka, samodzielnie odświeżająca się pamięć DRAM CMOS z interfejsem HYPERBUS. Układ pamięci DRAM wykorzystuje ogniwa dynamiczne, które wymagają okresowego odświeżania. Logika sterowania odświeżaniem wewnątrz urządzenia zarządza operacjami odświeżania na układzie DRAM, gdy pamięć nie jest aktywnie odczytywana lub zapisywana przez interfejs HYPERBUS master. Ponieważ hosta nie jest wymagany do zarządzania żadnymi operacjami odświeżania, układ DRAM wygląda na hosta, jakby pamięć korzystała z komórek statycznych, które zatrzymują dane bez odświeżania. Dlatego pamięć jest dokładniej określana jako pseudostatyczna pamięć RAM.
Maksymalna szybkość zegara 200 MHz
Przepustowość danych do 400 MB/s
Dwukierunkowy stroboskop odczytu i zapisu danych
Motoryzacyjny AEC Q100 klasy 2 i 3
Opcjonalny stroboskop odczytu z wyrównaniem środkowym DDR
DDR przesyła dane na obu krawędziach zegara
Powiązane linki
- SDRAM 24-pinowy 400Mbps DDR
- Pamięć DDR SDRAM 24-pinowy 200MHz DDR Od 1 Od -40°C do +105°C
- SDRAM 24-pinowy 333Mbit/s Montaż powierzchniowy
- SDRAM 54-pinowy 200MHz DDR Od 3 V do 3 0°C do +70°C
- SDRAM 54-pinowy 166MHz SDR, Montaż powierzchniowy
- SDRAM 90-pinowy 166MHz SDR, Montaż powierzchniowy
- SDRAM 1330MHz DDR4
- SDRAM 1600MHz DDR4