Alliance Memory Pamięć SRAM 2 MB CY62256NLL-55SNXI Powierzchnia 28-pinowy SOP-28
- Nr art. RS:
- 286-350
- Nr części producenta:
- CY62256NLL-55SNXI
- Producent:
- Alliance Memory
Informacje o zapasach są obecnie niedostępne
- Nr art. RS:
- 286-350
- Nr części producenta:
- CY62256NLL-55SNXI
- Producent:
- Alliance Memory
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Alliance Memory | |
| Rozmiar pamięci | 2MB | |
| Typ produktu | Pamięć SRAM | |
| Liczba słów | 128k | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 55ns | |
| Typ pomiaru czasu | Asynchroniczny | |
| Minimalne napięcie zasilania | 4.5V | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 5.5V | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Typ obudowy | SOP-28 | |
| Liczba styków | 28 | |
| Maksymalna temperatura robocza | 85°C | |
| Normy/Zatwierdzenia | RoHS | |
| Seria | CY62256NLL | |
| Prąd zasilania | 50mA | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Alliance Memory | ||
Rozmiar pamięci 2MB | ||
Typ produktu Pamięć SRAM | ||
Liczba słów 128k | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 55ns | ||
Typ pomiaru czasu Asynchroniczny | ||
Minimalne napięcie zasilania 4.5V | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Maksymalne napięcie zasilania 5.5V | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Typ obudowy SOP-28 | ||
Liczba styków 28 | ||
Maksymalna temperatura robocza 85°C | ||
Normy/Zatwierdzenia RoHS | ||
Seria CY62256NLL | ||
Prąd zasilania 50mA | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
Statyczna pamięć RAM Alliance Memory CMOS jest zorganizowana jako 32 tys. słów na 8 bitów. Oferuje łatwą rozbudowę pamięci z aktywnym LOW chip enable (CE) i output enable (OE), ze sterownikami tristate. Urządzenie posiada funkcję automatycznego wyłączania zasilania, która zmniejsza zużycie energii o 99,9% po jej wyłączeniu. Aktywny sygnał LOW zezwalający na zapis kontroluje operacje zapisu i odczytu. Dane są zapisywane, gdy wejścia CE i WE są w stanie LOW. Do odczytu urządzenie jest wybierane, a wyjścia są odblokowywane, podczas gdy WE pozostaje w stanie HIGH. Piny wejściowe lub wyjściowe są w stanie wysokiej impedancji, chyba że chip jest wybrany, wyjścia są włączone, a WE jest HIGH.
Łatwa rozbudowa pamięci dzięki funkcjom CE i OE
Wejścia i wyjścia kompatybilne z TTL
Automatyczne wyłączanie zasilania po usunięciu zaznaczenia
CMOS dla optymalnej szybkości i mocy
Powiązane linki
- Alliance Memory Pamięć SRAM 1 MB AS6C1008-55SIN Powierzchnia 32-pinowy SOP-32
- Alliance Memory Pamięć SRAM CMOS o niskim poborze mocy 4 MB Powierzchnia 32-pinowy
- Alliance Memory Pamięć SRAM CMOS o niskim poborze mocy 4 MB AS6C4008A-55STIN Powierzchnia 32-pinowy
- Alliance Memory SRAM 4 MB Powierzchnia 32-pinowy SOP
- Alliance Memory SRAM 4 MB AS6C4008-55SINTR Powierzchnia 32-pinowy SOP
- Alliance Memory SRAM 4 MB AS6C4008-55SIN Powierzchnia 32-pinowy SOP-32
- Alliance Memory Pamięć SRAM 64 kB Otwór przelotowy 28-pinowy 8 K x 8 bitów PDIP
- Alliance Memory SRAM 4 MB Powierzchnia 44-pinowy TSOP