SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256k x 16 bitów TSOP, Od 3,135 V do 3,63 V

Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 tacka po 135 sztuk/i)*

2 724,57 zł

(bez VAT)

3 351,24 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • Dostępne od 12 marca 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Za Tackę*
135 - 27020,182 zł2 724,57 zł
405 - 54019,636 zł2 650,86 zł
675 - 121519,12 zł2 581,20 zł
1350 - 324018,629 zł2 514,92 zł
3375 +18,164 zł2 452,14 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
170-2053
Nr części producenta:
IS61LV25616AL-10TLI
Producent:
ISSI
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

ISSI

Rozmiar pamięci

4Mbit

Organizacja

256k x 16 bitów

Liczba słów

256k

Liczba bitów w słowie

16bit

Maksymalny czas dostępu swobodnego

10ns

Szerokość magistrali adresowej

18bit

Niski pobór energii

Tak

Typ pomiaru czasu

Asynchroniczne

Typ montażu

Montaż powierzchniowy

Typ opakowania

TSOP

Liczba styków

44

Wymiary

18.52 x 10.29 x 1.05mm

Wysokość

1.05mm

Maksymalne robocze napięcie zasilania

3,6 V

Długość

18.52mm

Minimalne robocze napięcie zasilania

3,135 V

Maksymalna temperatura robocza

+85°C

Szerokość

10.29mm

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Kraj pochodzenia:
TW

Statyczna pamięć RAM, ISSI


Produkty ISSI Static RAM wykorzystują wysokowydajną technologię CMOS. Istnieje szeroki zakres statycznych pamięci RAM, które obejmują asynchroniczne pamięci SRAM 5 V o dużej szybkości, asynchroniczną pamięć SRAM o niskiej mocy o małej mocy, asynchroniczne moduły SRAM o niskim poborze mocy 5 V, statyczne pamięci RAM o bardzo niskim poborze mocy i asynchroniczne moduły pamięci SRAM o niższym poborze mocy PowerSaver TM. Urządzenia ISSI SRAM są dostępne w różnych środowiskach pod względem napięcia, rozmiaru pamięci i różnych organizacji. Są one odpowiednie w zastosowaniach takich jak pamięć podręczna CPU, procesory wbudowane, dyski twarde i przełączniki do przemysłowych układów elektronicznych.

Zasilanie: 1,8 V/3,3 V/5 V.
Dostępne pakiety: BGA, SOP, STSOP, TSOP
Dostępny wybór konfiguracji: X8 i x16
Funkcja ECC dostępna dla szybkich asynchronicznych modułów pamięci SRAM

.



SRAM (Static Random Access Memory)

Powiązane linki