ISSI SRAM 4 MB IS61LV25616AL-10TLI Powierzchnia 44-pinowy 256 k x 16 Bit TSOP

Zobacz wszystkie SRAM
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 sztuka)*

20,70 zł

(bez VAT)

25,46 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Koszt dostawy zamówienia na kwotę poniżej 300,00 zł (bez VAT) to 15,90 zł.
W magazynie
  • 133 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
  • Dodatkowe 27 szt. dostępne od 18 lutego 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
1 - 920,70 zł
10 - 4920,16 zł
50 - 9919,62 zł
100 - 19919,13 zł
200 +18,63 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
391-707
Nr części producenta:
IS61LV25616AL-10TLI
Producent:
ISSI
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

ISSI

Rozmiar pamięci

4MB

Typ produktu

SRAM

Organizacja

256 k x 16 Bit

Liczba słów

256K

Liczba bitów w słowie

16

Maksymalny czas dostępu swobodnego

10ns

Szerokość magistrali adresowej

18bit

Typ pomiaru czasu

Asynchroniczny

Minimalne napięcie zasilania

3.135V

Typ montażu

Powierzchnia

Maksymalne napięcie zasilania

3.6V

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Typ obudowy

TSOP

Liczba styków

44

Maksymalna temperatura robocza

85°C

Długość

18.52mm

Seria

IS61LV25616AL

Normy/Zatwierdzenia

No

Wysokość

1.05mm

Szerokość

10.29 mm

Norma motoryzacyjna

Nie

Prąd zasilania

110mA

Statyczna pamięć RAM, ISSI


Produkty ISSI Static RAM wykorzystują wysokowydajną technologię CMOS. Istnieje szeroki zakres statycznych pamięci RAM, które obejmują asynchroniczne pamięci SRAM 5 V o dużej szybkości, asynchroniczną pamięć SRAM o niskiej mocy o małej mocy, asynchroniczne moduły SRAM o niskim poborze mocy 5 V, statyczne pamięci RAM o bardzo niskim poborze mocy i asynchroniczne moduły pamięci SRAM o niższym poborze mocy PowerSaver TM. Urządzenia ISSI SRAM są dostępne w różnych środowiskach pod względem napięcia, rozmiaru pamięci i różnych organizacji. Są one odpowiednie w zastosowaniach takich jak pamięć podręczna CPU, procesory wbudowane, dyski twarde i przełączniki do przemysłowych układów elektronicznych.

Zasilanie: 1,8 V/3,3 V/5 V.

Dostępne pakiety: BGA, SOP, STSOP, TSOP

Dostępny wybór konfiguracji: X8 i x16

Funkcja ECC dostępna dla szybkich asynchronicznych modułów pamięci SRAM

SRAM (Static Random Access Memory)


Powiązane linki