Infineon SRAM 4 MB CY62148ELL-55SXIT Powierzchnia 32-pinowy SOIC 1 MHz
- Nr art. RS:
- 181-7591
- Nr części producenta:
- CY62148ELL-55SXIT
- Producent:
- Infineon
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Zobacz ceny hurtoweSuma częściowa (1 opakowanie po 2 sztuk/i)*
55,53 zł
(bez VAT)
68,30 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
W magazynie
- Dodatkowe 4 szt. dostępne od 05 października 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 27,765 zł | 55,53 zł |
| 20 - 48 | 27,025 zł | 54,05 zł |
| 50 - 98 | 26,235 zł | 52,47 zł |
| 100 - 198 | 25,56 zł | 51,12 zł |
| 200 + | 24,955 zł | 49,91 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 181-7591
- Nr części producenta:
- CY62148ELL-55SXIT
- Producent:
- Infineon
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Rozmiar pamięci | 4MB | |
| Typ produktu | SRAM | |
| Liczba słów | 512K | |
| Liczba bitów w słowie | 8 | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 45ns | |
| Szerokość magistrali adresowej | 8bit | |
| Maksymalna częstotliwość zegara | 1MHz | |
| Typ pomiaru czasu | Asynchroniczny | |
| Minimalne napięcie zasilania | 4.5V | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 5.5V | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Typ obudowy | SOIC | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Liczba styków | 32 | |
| Maksymalna temperatura robocza | 85°C | |
| Wysokość | 2.81mm | |
| Długość | 20.75mm | |
| Seria | CY62148E | |
| Szerokość | 11.43mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Prąd zasilania | 20mA | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Rozmiar pamięci 4MB | ||
Typ produktu SRAM | ||
Liczba słów 512K | ||
Liczba bitów w słowie 8 | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 45ns | ||
Szerokość magistrali adresowej 8bit | ||
Maksymalna częstotliwość zegara 1MHz | ||
Typ pomiaru czasu Asynchroniczny | ||
Minimalne napięcie zasilania 4.5V | ||
Maksymalne napięcie zasilania 5.5V | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Typ obudowy SOIC | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Liczba styków 32 | ||
Maksymalna temperatura robocza 85°C | ||
Wysokość 2.81mm | ||
Długość 20.75mm | ||
Seria CY62148E | ||
Szerokość 11.43mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Prąd zasilania 20mA | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
SRAM serii CY62148E firmy Infineon, wielkość pamięci 4 MB, maksymalna częstotliwość zegara 1 MHz – CY62148ELL-55SXIT
Ta pamięć SRAM to urządzenie z pamięcią statyczną zaprojektowane do szybkiego przechowywania danych o niskim opóźnieniu w systemach wbudowanych. Działa w standardowym środowisku cyfrowym z pojedynczym zasilaniem i jest przeznaczony do montażu powierzchniowego na zespołach obwodów drukowanych. Element obsługuje asynchroniczne interakcje odczytu/zapisu i nadaje się do zastosowań wymagających umiarkowanej pojemności i deterministycznego synchronizacji dostępu.
Cechy i zalety:
• 45 ns czasu losowego dostępu usprawnia deterministyczne pobieranie danych
• Maksymalna częstotliwość zegara 1 MHz zmniejsza moc podczas sondowania
• Organizacja 4 MB zapewnia dużą pojemność pamięci przenośnej
• Zakres zasilania 4,5–5,5 V umożliwia zgodność ze standardowym systemem 5 V
• Typowy prąd zasilania 20 mA obniża zużycie energii w stanie bezczynności
• 32-stykowa obudowa SOIC obsługuje kompaktowe układy płytek
• Maksymalna częstotliwość zegara 1 MHz zmniejsza moc podczas sondowania
• Organizacja 4 MB zapewnia dużą pojemność pamięci przenośnej
• Zakres zasilania 4,5–5,5 V umożliwia zgodność ze standardowym systemem 5 V
• Typowy prąd zasilania 20 mA obniża zużycie energii w stanie bezczynności
• 32-stykowa obudowa SOIC obsługuje kompaktowe układy płytek
Zastosowania
• Odpowiednie do buforowania w przemysłowych jednostkach sterujących
• Idealne do rejestrowania danych w systemach oprzyrządowania
• Używany z mikrokontrolerami do ekranowania kodu
• Może być używany do buforowania ramek w starszej elektronice wideo
• Odpowiednie do tymczasowego przechowywania w bramach komunikacyjnych
• Idealne do rejestrowania danych w systemach oprzyrządowania
• Używany z mikrokontrolerami do ekranowania kodu
• Może być używany do buforowania ramek w starszej elektronice wideo
• Odpowiednie do tymczasowego przechowywania w bramach komunikacyjnych
Jakie ekstremalne temperatury może wytrzymać podczas pracy?
Jest przeznaczony do pracy w temperaturach od -40°C do 85°C do użytku w wymagających warunkach środowiskowych.
W jaki sposób pamięć jest zorganizowana wewnętrznie do adresowania?
Urządzenie zawiera 512 tys. słów o szerokości 8 bitów i jest dostępne za pośrednictwem 8-bitowego interfejsu adresowego.
Jakiego fizycznego wymiaru i metody montażu wymaga?
Element jest dostarczany w 32-stykowej obudowie SOIC do montażu powierzchniowego o długości 20,75 mm i szerokości 11,43 mm.
Jakie są główne ograniczenia elektryczne, które należy wziąć pod uwagę w projektach?
Projektanci powinni przestrzegać maksymalnego napięcia zasilania 5,5 V i upewnić się, że czas odpowiada wymogowi dostępu 45 ns, jednocześnie biorąc pod uwagę schemat czasowy asynchroniczny.
Powiązane linki
- Infineon SRAM 4 MB Powierzchnia 32-pinowy SOIC 1 MHz
- Infineon SRAM 4 MB CY62148ELL-55SXI Powierzchnia 32-pinowy SOIC 1 MHz
- Infineon SRAM 4 MB CY62148ELL-45ZSXI 32-pinowy SOIC
- Infineon SRAM 4 MB 32-pinowy SOIC
- Infineon SRAM 1 MB CY7C109D-10ZXI 32-pinowy
- Infineon SRAM 1 MB CY7C109D-10VXIT 32-pinowy
- Infineon SRAM 1 MB CY62128ELL-45ZAXI 32-pinowy
- Infineon SRAM 1 MB Powierzchnia 16-pinowy 128 K x 8 bitów SOIC 104 MHz