Infineon SRAM 4 MB CY62148ELL-55SXIT Powierzchnia 32-pinowy SOIC 1 MHz
- Nr art. RS:
- 181-7591
- Nr części producenta:
- CY62148ELL-55SXIT
- Producent:
- Infineon
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 opakowanie po 2 sztuk/i)*
48,83 zł
(bez VAT)
60,06 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
W magazynie
- Dodatkowe 4 szt. dostępne od 11 maja 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 24,415 zł | 48,83 zł |
| 20 - 48 | 23,76 zł | 47,52 zł |
| 50 - 98 | 23,085 zł | 46,17 zł |
| 100 - 198 | 22,50 zł | 45,00 zł |
| 200 + | 21,96 zł | 43,92 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 181-7591
- Nr części producenta:
- CY62148ELL-55SXIT
- Producent:
- Infineon
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Typ produktu | SRAM | |
| Rozmiar pamięci | 4MB | |
| Liczba słów | 512K | |
| Liczba bitów w słowie | 8 | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 45ns | |
| Szerokość magistrali adresowej | 8bit | |
| Maksymalna częstotliwość zegara | 1MHz | |
| Minimalne napięcie zasilania | 4.5V | |
| Typ pomiaru czasu | Asynchroniczny | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 5.5V | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Typ obudowy | SOIC | |
| Liczba styków | 32 | |
| Maksymalna temperatura robocza | 85°C | |
| Seria | CY62148E | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Długość | 20.75mm | |
| Wysokość | 2.81mm | |
| Prąd zasilania | 20mA | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Typ produktu SRAM | ||
Rozmiar pamięci 4MB | ||
Liczba słów 512K | ||
Liczba bitów w słowie 8 | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 45ns | ||
Szerokość magistrali adresowej 8bit | ||
Maksymalna częstotliwość zegara 1MHz | ||
Minimalne napięcie zasilania 4.5V | ||
Typ pomiaru czasu Asynchroniczny | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Maksymalne napięcie zasilania 5.5V | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Typ obudowy SOIC | ||
Liczba styków 32 | ||
Maksymalna temperatura robocza 85°C | ||
Seria CY62148E | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Długość 20.75mm | ||
Wysokość 2.81mm | ||
Prąd zasilania 20mA | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
Bardzo duża prędkość: 45 ns
Zakres napięcia: 4,5 V do 5,5 V.
Zgodność ze standardem CY62148B
Bardzo niski pobór mocy w trybie gotowości
Typowy prąd w trybie gotowości: 1 μA
Maksymalny prąd gotowości: 7 μA (przemysłowe)
Bardzo niska aktywna moc
Typowy prąd aktywny: 2,0 mA przy f = 1 MHz.
Łatwa rozbudowa pamięci dzięki funkcjom CE i OE
Automatyczne wyłączanie po wyłączeniu
Uzupełniające półprzewodniki z tlenkiem metalu (CMOS) dla optymalnej prędkości i mocy
Dostępne w pakietach 32-stykowych cienkich obudów: Pb (TSOOP) II i 32-pinowych układów scalonych o małej konturze (SOIC)[1]
Powiązane linki
- Infineon SRAM 4 MB Powierzchnia 32-pinowy 512 k x 8 Bit SOIC 1 MHz
- Infineon SRAM 4 MB CY62148ELL-55SXI Powierzchnia 32-pinowy 512 k x 8 Bit SOIC 1 MHz
- Infineon SRAM 4 MB CY62148ELL-45ZSXI 32-pinowy 512k x 8 SOIC
- Infineon SRAM 4 MB 32-pinowy 512k x 8 SOIC
- Infineon SRAM 1 MB Powierzchnia 16-pinowy 128K x 8 bit SOIC 104 MHz
- Infineon SRAM 8 MB Powierzchnia 44-pinowy 512 K x 16 TSOP II
- ISSI SRAM 4 MB Powierzchnia 32-pinowy 512 k x 8 Bit SOP
- ISSI SRAM 4 MB Powierzchnia 44-pinowy 512 k x 8 Bit TSOP