Infineon SRAM 4 MB CY62148ELL-55SXI Powierzchnia 32-pinowy 512 k x 8 Bit SOIC 1 MHz
- Nr art. RS:
- 124-2941
- Nr części producenta:
- CY62148ELL-55SXI
- Producent:
- Infineon
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 opakowanie po 2 sztuk/i)*
58,01 zł
(bez VAT)
71,352 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
Ostatni magazyn RS
- Dodatkowe 4 szt. dostępne od 09 lutego 2026
- Ostatnie 108 szt. od dnia 16 lutego 2026
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 29,005 zł | 58,01 zł |
| 10 - 18 | 28,215 zł | 56,43 zł |
| 20 - 98 | 27,45 zł | 54,90 zł |
| 100 - 498 | 26,755 zł | 53,51 zł |
| 500 + | 26,08 zł | 52,16 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 124-2941
- Nr części producenta:
- CY62148ELL-55SXI
- Producent:
- Infineon
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Typ produktu | SRAM | |
| Rozmiar pamięci | 4MB | |
| Organizacja | 512 k x 8 Bit | |
| Liczba słów | 512K | |
| Liczba bitów w słowie | 8 | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 45ns | |
| Szerokość magistrali adresowej | 8bit | |
| Maksymalna częstotliwość zegara | 1MHz | |
| Minimalne napięcie zasilania | 4.5V | |
| Typ pomiaru czasu | Asynchroniczny | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 5.5V | |
| Typ obudowy | SOIC | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Liczba styków | 32 | |
| Maksymalna temperatura robocza | 85°C | |
| Seria | CY62148E | |
| Długość | 20.75mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Wysokość | 2.81mm | |
| Szerokość | 11.43 mm | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Prąd zasilania | 20mA | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Typ produktu SRAM | ||
Rozmiar pamięci 4MB | ||
Organizacja 512 k x 8 Bit | ||
Liczba słów 512K | ||
Liczba bitów w słowie 8 | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 45ns | ||
Szerokość magistrali adresowej 8bit | ||
Maksymalna częstotliwość zegara 1MHz | ||
Minimalne napięcie zasilania 4.5V | ||
Typ pomiaru czasu Asynchroniczny | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Maksymalne napięcie zasilania 5.5V | ||
Typ obudowy SOIC | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Liczba styków 32 | ||
Maksymalna temperatura robocza 85°C | ||
Seria CY62148E | ||
Długość 20.75mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Wysokość 2.81mm | ||
Szerokość 11.43 mm | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
Prąd zasilania 20mA | ||
Asynchroniczna pamięć SRAM Micropower (MoBL), Cypress Semiconductor
Energooszczędne urządzenia pamięci MoBL SRAM charakteryzują się wysoką wydajnością i są zgodne z najlepszymi w branży specyfikacjami dotyczącymi rozpraszania energii w trybie gotowości (maksymalnie).
SRAM (Static Random Access Memory)
Powiązane linki
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512k x 8 bit SOIC 1MHz5 V do 5,5 V
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512k x 8 bitów SOIC 1MHz5 V do 5,5 V
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 36 -pinowy 512K x 8 bitów SOJ 1MHz
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512K x 8 bitów TSOP 1MHz
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512K x 8 bitów TSOP 1MHz
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512K x 8 bitów SOP 1MHz
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512k x 8 bitów SOP5 V do 5,5 V
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 512k x 8 bitów TSOP5 V do 5,5 V
