SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512k x 8 bitów SOIC 1MHz, Od 4,5 V do 5,5 V
- Nr art. RS:
- 124-2941
- Nr części producenta:
- CY62148ELL-55SXI
- Producent:
- Infineon
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 opakowanie po 2 sztuk/i)*
72,77 zł
(bez VAT)
89,508 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
Ostatni magazyn RS
- 4 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
- Ostatnie 134 szt. od dnia 02 stycznia 2026
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 36,385 zł | 72,77 zł |
| 10 - 18 | 35,415 zł | 70,83 zł |
| 20 - 98 | 34,47 zł | 68,94 zł |
| 100 - 498 | 33,525 zł | 67,05 zł |
| 500 + | 32,74 zł | 65,48 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 124-2941
- Nr części producenta:
- CY62148ELL-55SXI
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Rozmiar pamięci | 4Mbit | |
| Organizacja | 512k x 8 bitów | |
| Liczba słów | 512k | |
| Liczba bitów w słowie | 8bit | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 45ns | |
| Szerokość magistrali adresowej | 8bit | |
| Częstotliwość zegara | 1MHz | |
| Niski pobór energii | Tak | |
| Typ pomiaru czasu | Asynchroniczne | |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy | |
| Typ opakowania | SOIC | |
| Liczba styków | 32 | |
| Wymiary | 20.75 x 11.43 x 2.81mm | |
| Maksymalne robocze napięcie zasilania | 5,5 V | |
| Wysokość | 2.81mm | |
| Długość | 20.75mm | |
| Maksymalna temperatura robocza | +85°C | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Szerokość | 11.43mm | |
| Minimalne robocze napięcie zasilania | 4,5 V | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Rozmiar pamięci 4Mbit | ||
Organizacja 512k x 8 bitów | ||
Liczba słów 512k | ||
Liczba bitów w słowie 8bit | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 45ns | ||
Szerokość magistrali adresowej 8bit | ||
Częstotliwość zegara 1MHz | ||
Niski pobór energii Tak | ||
Typ pomiaru czasu Asynchroniczne | ||
Typ montażu Montaż powierzchniowy | ||
Typ opakowania SOIC | ||
Liczba styków 32 | ||
Wymiary 20.75 x 11.43 x 2.81mm | ||
Maksymalne robocze napięcie zasilania 5,5 V | ||
Wysokość 2.81mm | ||
Długość 20.75mm | ||
Maksymalna temperatura robocza +85°C | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Szerokość 11.43mm | ||
Minimalne robocze napięcie zasilania 4,5 V | ||
Asynchroniczna pamięć SRAM Micropower (MoBL), Cypress Semiconductor
Energooszczędne urządzenia pamięci MoBL SRAM charakteryzują się wysoką wydajnością i są zgodne z najlepszymi w branży specyfikacjami dotyczącymi rozpraszania energii w trybie gotowości (maksymalnie).
Bardzo duża prędkość: 45 ns
Zakres napięcia: 4,5 V do 5,5 V.
Zgodność ze standardem CY62148B
Bardzo niski pobór mocy w trybie gotowości
Typowy prąd w trybie gotowości: 1 μA
Maksymalny prąd gotowości: 7 μA (przemysłowe)
Bardzo niska aktywna moc
Typowy prąd aktywny: 2,0 mA przy f = 1 MHz.
Łatwa rozbudowa pamięci dzięki funkcjom CE i OE
Automatyczne wyłączanie po wyłączeniu
Uzupełniające półprzewodniki z tlenkiem metalu (CMOS) dla optymalnej prędkości i mocy
Dostępne w pakietach 32-stykowych cienkich obudów: Pb (TSOOP) II i 32-pinowych układów scalonych o małej konturze (SOIC)[1]
Zakres napięcia: 4,5 V do 5,5 V.
Zgodność ze standardem CY62148B
Bardzo niski pobór mocy w trybie gotowości
Typowy prąd w trybie gotowości: 1 μA
Maksymalny prąd gotowości: 7 μA (przemysłowe)
Bardzo niska aktywna moc
Typowy prąd aktywny: 2,0 mA przy f = 1 MHz.
Łatwa rozbudowa pamięci dzięki funkcjom CE i OE
Automatyczne wyłączanie po wyłączeniu
Uzupełniające półprzewodniki z tlenkiem metalu (CMOS) dla optymalnej prędkości i mocy
Dostępne w pakietach 32-stykowych cienkich obudów: Pb (TSOOP) II i 32-pinowych układów scalonych o małej konturze (SOIC)[1]
.
SRAM (Static Random Access Memory)
Powiązane linki
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512k x 8 bit SOIC 1MHz5 V do 5,5 V
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512k x 8 bitów SOIC 1MHz5 V do 5,5 V
- SRAM 4Mbit 512K x 8
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 512k x 8 bitów TSOP5 V do 5,5 V
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512k x 8 bitów SOP5 V do 5,5 V
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 36 -pinowy 512K x 8 bitów SOJ 1MHz
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512K x 8 bitów TSOP 1MHz
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512K x 8 bitów TSOP 1MHz