Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512k x 8 bit SOIC 1MHz, Od 4,5 V do 5,5 V

Nr art. RS:: 188-5324
Nr części producenta:: CY62148ELL-55SXI
Producent:: Infineon

Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512k x 8 bit SOIC 1MHz, Od 4,5 V do 5,5 V

Zobacz wszystkie SRAM

Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 tuba po 25 sztuk/i)*

837,90 zł

(bez VAT)

1 030,625 zł

(z VAT)

DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł

Ostatni magazyn RS

Ostatnie 125 sztuk, gotowe do wysyłki z innej lokalizacji

Produkty	Za jednostkę	Za Tubę*
25 - 25	33,516 zł	837,90 zł
50 - 75	32,611 zł	815,28 zł
100 - 225	31,74 zł	793,50 zł
250 - 475	30,935 zł	773,38 zł
500 +	30,164 zł	754,10 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:: 188-5324
Nr części producenta:: CY62148ELL-55SXI
Producent:: Infineon

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Szczegółowe dane produktu

Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.

Zaznacz wszystkie	Atrybut	Wartość
	Marka	Infineon
	Rozmiar pamięci	4Mbit
	Organizacja	512k x 8 bit
	Liczba słów	512k
	Liczba bitów w słowie	8bit
	Maksymalny czas dostępu swobodnego	55ns
	Szerokość magistrali adresowej	8bit
	Częstotliwość zegara	1MHz
	Niski pobór energii	Tak
	Typ pomiaru czasu	Asynchroniczne
	Typ montażu	Montaż powierzchniowy
	Typ opakowania	SOIC
	Liczba styków	32
	Wymiary	20.75 x 11.43 x 2.88mm
	Maksymalne robocze napięcie zasilania	5,5 V
	Wysokość	2.88mm
	Maksymalna temperatura robocza	+85°C
	Szerokość	11.43mm
	Minimalna temperatura robocza	-40°C
	Minimalne robocze napięcie zasilania	4,5 V
	Długość	20.75mm

	Zaznacz wszystkie
	Marka Infineon
	Rozmiar pamięci 4Mbit
	Organizacja 512k x 8 bit
	Liczba słów 512k
	Liczba bitów w słowie 8bit
	Maksymalny czas dostępu swobodnego 55ns
	Szerokość magistrali adresowej 8bit
	Częstotliwość zegara 1MHz
	Niski pobór energii Tak
	Typ pomiaru czasu Asynchroniczne
	Typ montażu Montaż powierzchniowy
	Typ opakowania SOIC
	Liczba styków 32
	Wymiary 20.75 x 11.43 x 2.88mm
	Maksymalne robocze napięcie zasilania 5,5 V
	Wysokość 2.88mm
	Maksymalna temperatura robocza +85°C
	Szerokość 11.43mm
	Minimalna temperatura robocza -40°C
	Minimalne robocze napięcie zasilania 4,5 V
	Długość 20.75mm

Datasheet CY62148ELL-55SXI

Kraj pochodzenia:: US

Asynchroniczna pamięć SRAM Micropower (MoBL), Cypress Semiconductor

Energooszczędne urządzenia pamięci MoBL SRAM charakteryzują się wysoką wydajnością i są zgodne z najlepszymi w branży specyfikacjami dotyczącymi rozpraszania energii w trybie gotowości (maksymalnie).

Bardzo duża prędkość: 45 ns
Zakres napięcia: 4,5 V do 5,5 V.
Zgodność ze standardem CY62148B
Bardzo niski pobór mocy w trybie gotowości
Typowy prąd w trybie gotowości: 1 μA
Maksymalny prąd gotowości: 7 μA (przemysłowe)
Bardzo niska aktywna moc
Typowy prąd aktywny: 2,0 mA przy f = 1 MHz.
Łatwa rozbudowa pamięci dzięki funkcjom CE i OE
Automatyczne wyłączanie po wyłączeniu
Uzupełniające półprzewodniki z tlenkiem metalu (CMOS) dla optymalnej prędkości i mocy
Dostępne w pakietach 32-stykowych cienkich obudów: Pb (TSOOP) II i 32-pinowych układów scalonych o małej konturze (SOIC)[1]

.

SRAM (Static Random Access Memory)

Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512k x 8 bit SOIC 1MHz, Od 4,5 V do 5,5 V

DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł

Asynchroniczna pamięć SRAM Micropower (MoBL), Cypress Semiconductor

.

Powiązane linki