Cypress Semiconductor SRAM 256 kB CY7C199D-10VXIT Otwór przelotowy 48-pinowy 32K x 8 Bit SOJ
- Nr art. RS:
- 193-8471
- Nr części producenta:
- CY7C199D-10VXIT
- Producent:
- Cypress Semiconductor
Niedostępny
Wkrótce artykuł zostanie wycofany z oferty
- Nr art. RS:
- 193-8471
- Nr części producenta:
- CY7C199D-10VXIT
- Producent:
- Cypress Semiconductor
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Cypress Semiconductor | |
| Typ produktu | SRAM | |
| Rozmiar pamięci | 256kB | |
| Organizacja | 32K x 8 Bit | |
| Liczba słów | 32k | |
| Liczba bitów w słowie | 8 | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 10ns | |
| Minimalne napięcie zasilania | -0.5V | |
| Typ pomiaru czasu | Asynchroniczny | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 6V | |
| Typ montażu | Otwór przelotowy | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Typ obudowy | SOJ | |
| Liczba styków | 48 | |
| Maksymalna temperatura robocza | 85°C | |
| Długość | 11.9mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | RoHS | |
| Szerokość | 8.1 mm | |
| Wysokość | 1mm | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Cypress Semiconductor | ||
Typ produktu SRAM | ||
Rozmiar pamięci 256kB | ||
Organizacja 32K x 8 Bit | ||
Liczba słów 32k | ||
Liczba bitów w słowie 8 | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 10ns | ||
Minimalne napięcie zasilania -0.5V | ||
Typ pomiaru czasu Asynchroniczny | ||
Maksymalne napięcie zasilania 6V | ||
Typ montażu Otwór przelotowy | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Typ obudowy SOJ | ||
Liczba styków 48 | ||
Maksymalna temperatura robocza 85°C | ||
Długość 11.9mm | ||
Normy/Zatwierdzenia RoHS | ||
Szerokość 8.1 mm | ||
Wysokość 1mm | ||
Zakres temperatur
Od –40°C do 85°C.
Styk i funkcja zgodne z CY7C199C
Duża szybkość transmisji
TAA = 10 ns
Niska moc czynna
ICC = 80 ma przy 10 ns
Niski pobór mocy w trybie gotowości CMOS
ISB2 = 3 ma
Przechowywanie V Data
Automatyczne wyłączanie po wyłączeniu
Uzupełniający półprzewodnikowy tlenek metalu (CMOS) zapewniający optymalną prędkość/moc
Wejścia i wyjścia zgodne z tranzystorem-tranzystorem logicznym (TTL)
Łatwa rozbudowa pamięci dzięki funkcjom CE i OE
Dostępne w 28-stykowych opakowaniach beznapięciowych 300-Mil z formowanym małym konturem typu J-ołowiowym (SOJ) i 28-stykowych, cienkich opakowaniach o małych konturach (TSOP) I.
Powiązane linki
- SRAM 256kbit Montaż powierzchniowy 28 -pinowy 32k x 8 bitów SOJ 1MHz5 V do 5,5 V
- Pamięć SRAM 1Mbit montaż Otwór przezierny 85 -pinowy 64k x 16 bitów SOJ 1MHz
- Pamięć SRAM 1Mbit montaż Otwór przezierny 32 -pinowy 128k x 8 bitów SOJ 1MHz
- Pamięć SRAM 256kbit Montaż powierzchniowy 28 -pinowy 32k x 8 bitów TSOP 100MHz5 V do 5,5 V
- SRAM 256kbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 32K x 8 bitów TSOP 1MHz
- Pamięć SRAM 1Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 64k x 16 bitów SOJ 1MHz
- Pamięć SRAM 256kbit 32K x 8
- SRAM 256kbit Montaż powierzchniowy 28 -pinowy 32k x 8 bitów SOJ5 V do 5,5 V
