Cypress Semiconductor SRAM 1 MB CY62128EV30LL-45ZXI Powierzchnia 32-pinowy 128 K x 8 bitów TSOP

Nr art. RS:: 181-7440
Nr części producenta:: CY62128EV30LL-45ZXI
Producent:: Cypress Semiconductor

Cypress Semiconductor SRAM 1 MB CY62128EV30LL-45ZXI Powierzchnia 32-pinowy 128 K x 8 bitów TSOP

Suma częściowa (1 tacka po 234 sztuk/i)*

2 424,24 zł

(bez VAT)

2 981,16 zł

(z VAT)

DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł

Tymczasowo niedostępny

Dostępne od 11 stycznia 2027

Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.

Produkty	Za jednostkę	Za Tackę*
234 +	10,36 zł	2 424,24 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:: 181-7440
Nr części producenta:: CY62128EV30LL-45ZXI
Producent:: Cypress Semiconductor

Specyfikacje

Informacje techniczne

Atesty i certyfikaty

Szczegółowe dane produktu

Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.

Zaznacz wszystkie	Atrybut	Wartość
	Marka	Cypress Semiconductor
	Typ produktu	SRAM
	Rozmiar pamięci	1MB
	Organizacja	128 K x 8 bitów
	Liczba słów	128k
	Liczba bitów w słowie	8
	Maksymalny czas dostępu swobodnego	45ns
	Szerokość magistrali adresowej	8bit
	Minimalne napięcie zasilania	3.6V
	Typ montażu	Powierzchnia
	Typ obudowy	TSOP
	Minimalna temperatura robocza	-40°C
	Maksymalna temperatura robocza	85°C
	Liczba styków	32
	Wysokość	1.05mm
	Długość	18.3mm
	Szerokość	8.2mm

	Zaznacz wszystkie
	Marka Cypress Semiconductor
	Typ produktu SRAM
	Rozmiar pamięci 1MB
	Organizacja 128 K x 8 bitów
	Liczba słów 128k
	Liczba bitów w słowie 8
	Maksymalny czas dostępu swobodnego 45ns
	Szerokość magistrali adresowej 8bit
	Minimalne napięcie zasilania 3.6V
	Typ montażu Powierzchnia
	Typ obudowy TSOP
	Minimalna temperatura robocza -40°C
	Maksymalna temperatura robocza 85°C
	Liczba styków 32
	Wysokość 1.05mm
	Długość 18.3mm
	Szerokość 8.2mm

Datasheet CY62128EV30LL-45ZXI

Zwolniony

SRAM Infineon, wielkość pamięci 1 MB, maksymalny czas losowego dostępu 45 ns – CY62128EV30LL-45ZXI

Ta pamięć SRAM to urządzenie z pamięcią statyczną zaprojektowane do szybkiego przechowywania danych w rozmiarze bajtowym w zastosowaniach do montażu powierzchniowego. Działa w granicach temperatury przemysłowej i obsługuje systemy wymagające nieulotnego buforowania danych z niskim opóźnieniem dostępu i standardowym napięciem zasilania. Obudowa pasuje do kompaktowych obwodów, w których ważna jest przestrzeń na płytce i niezawodność montażu.

Cechy i zalety:

• Niskie opóźnienia odczytu/zapisu wynoszące 45 ns umożliwiają szybkie przesyłanie danych
• Zasilanie 3,6 V zapewnia zgodność z powszechnie stosowanymi szynami logicznymi
• Rozdzielczość 128 K x 8 bitów zapewnia 128 tys. adresowalnych słów
• 32-stykowa obudowa TSOP do montażu powierzchniowego upraszcza montaż płytki drukowanej
• Szeroki zakres pracy od -40 do 85°C w środowiskach przemysłowych

Zastosowania

• Odpowiednie do szybkiego buforowania danych w systemach sterowania
• Idealne do tymczasowego przechowywania w urządzeniach automatyki przemysłowej
• Do użytku z mikrokontrolerami wymagającymi 8-bitowej pamięci równoległej
• Może być używany do ekranowania oprogramowania sprzętowego w platformach wbudowanych
• Odpowiednie do modernizacji, w których wymagana jest pamięć SRAM o niskim opóźnieniu

Ile bitów jest dostępnych jednocześnie podczas operacji?

Każdy dostęp do pamięci przesyła osiem bitów równolegle zgodnie z 8-bitową organizacją.

Jaki współczynnik kształtu należy przygotować na płytce drukowanej do montażu?

Zaprojektuj rozmiar 32-stykowego pakietu TSOP do montażu powierzchniowego, który pasuje do liczby styków urządzenia.

Jakie warunki środowiskowe urządzenie będzie niezawodnie tolerować?

Działa w zakresie temperatur od -40 do 85°C w zastosowaniach przemysłowych.

Jak wyraża się pojemność pamięci do planowania systemu?

Łączna pojemność jest podana jako 1 MB, rozmieszczona jako 128 tys. słów po 8 bitów.