Cypress Semiconductor SRAM 1 MB CY62128EV30LL-45ZXI Powierzchnia 32-pinowy 128K x 8 bit TSOP
- Nr art. RS:
- 181-7440
- Nr części producenta:
- CY62128EV30LL-45ZXI
- Producent:
- Cypress Semiconductor
Suma częściowa (1 tacka po 234 sztuk/i)*
2 651,22 zł
(bez VAT)
3 261,96 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 14 maja 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Tackę* |
|---|---|---|
| 234 + | 11,33 zł | 2 651,22 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 181-7440
- Nr części producenta:
- CY62128EV30LL-45ZXI
- Producent:
- Cypress Semiconductor
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Cypress Semiconductor | |
| Typ produktu | SRAM | |
| Rozmiar pamięci | 1MB | |
| Organizacja | 128K x 8 bit | |
| Liczba słów | 128k | |
| Liczba bitów w słowie | 8 | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 45ns | |
| Szerokość magistrali adresowej | 8bit | |
| Minimalne napięcie zasilania | 3.6V | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Typ obudowy | TSOP | |
| Liczba styków | 32 | |
| Maksymalna temperatura robocza | 85°C | |
| Szerokość | 8.2 mm | |
| Długość | 18.3mm | |
| Wysokość | 1.05mm | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Cypress Semiconductor | ||
Typ produktu SRAM | ||
Rozmiar pamięci 1MB | ||
Organizacja 128K x 8 bit | ||
Liczba słów 128k | ||
Liczba bitów w słowie 8 | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 45ns | ||
Szerokość magistrali adresowej 8bit | ||
Minimalne napięcie zasilania 3.6V | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Typ obudowy TSOP | ||
Liczba styków 32 | ||
Maksymalna temperatura robocza 85°C | ||
Szerokość 8.2 mm | ||
Długość 18.3mm | ||
Wysokość 1.05mm | ||
Zwolniony
Bardzo duża prędkość: 45 ns
Zakresy temperatur:
Przemysłowe: Od -40 °C do +85 °C.
Szeroki zakres napięć: Od 2,2 V do 3,6 V.
Zgodność ze standardem CY62128DV30
Bardzo niski pobór mocy w trybie gotowości
Typowy prąd w trybie gotowości: 1 μA
Maksymalny prąd w trybie czuwania: 4 μA
Bardzo niska aktywna moc
Typowy prąd aktywny: 1,3 mA przy f = 1 MHz.
Łatwa rozbudowa pamięci dzięki funkcjom CE1, CE2 i OE
Automatyczne wyłączanie po wyłączeniu
Uzupełniające półprzewodniki z tlenkiem metalu (CMOS) dla optymalnej prędkości i mocy
Oferowane w opakowaniach zbiorczych (SOIC) z 32-stykowym, wolnym od Pb małym konturem (TSOOP) typu I, oraz 32-pinowym cienkim cienkim pakietem konturowym (stsop)
Powiązane linki
- Pamięć SRAM 1Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 128k x 8 bitów TSOP
- SRAM 1Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 128k x 16 bitów TSOP
- SRAM 1Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 128k x 16 bitów SOIC
- SRAM 1Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 128k x 8 bitów TSOP
- SRAM 1Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 128K słów x 8 bitów TSOP
- Pamięć SRAM 1Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 128k x 8 bitów SOJ 100MHz
- Pamięć SRAM 1Mbit montaż Otwór przezierny 32 -pinowy 128k x 8 bitów SOJ 1MHz
- SRAM 1Mbit 128K x 8
