Cypress Semiconductor SRAM 1 MB Powierzchnia 32-pinowy 128K x 8 bit SOIC 1 MHz
- Nr art. RS:
- 188-5317
- Nr części producenta:
- CY62128ELL-45SXI
- Producent:
- Cypress Semiconductor
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 tuba po 25 sztuk/i)*
258,675 zł
(bez VAT)
318,175 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
W magazynie
- 725 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Tubę* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 10,347 zł | 258,68 zł |
| 100 - 225 | 10,076 zł | 251,90 zł |
| 250 - 475 | 9,819 zł | 245,48 zł |
| 500 + | 9,574 zł | 239,35 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 188-5317
- Nr części producenta:
- CY62128ELL-45SXI
- Producent:
- Cypress Semiconductor
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Cypress Semiconductor | |
| Rozmiar pamięci | 1MB | |
| Typ produktu | SRAM | |
| Organizacja | 128K x 8 bit | |
| Liczba słów | 128k | |
| Liczba bitów w słowie | 16 | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 45ns | |
| Szerokość magistrali adresowej | 8bit | |
| Maksymalna częstotliwość zegara | 1MHz | |
| Typ pomiaru czasu | Asynchroniczny | |
| Minimalne napięcie zasilania | 4.5V | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 5.5V | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Typ obudowy | SOIC | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Maksymalna temperatura robocza | 85°C | |
| Liczba styków | 32 | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Szerokość | 11.43 mm | |
| Seria | CY62128E | |
| Wysokość | 2.895mm | |
| Długość | 20.751mm | |
| Prąd zasilania | 16mA | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Cypress Semiconductor | ||
Rozmiar pamięci 1MB | ||
Typ produktu SRAM | ||
Organizacja 128K x 8 bit | ||
Liczba słów 128k | ||
Liczba bitów w słowie 16 | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 45ns | ||
Szerokość magistrali adresowej 8bit | ||
Maksymalna częstotliwość zegara 1MHz | ||
Typ pomiaru czasu Asynchroniczny | ||
Minimalne napięcie zasilania 4.5V | ||
Maksymalne napięcie zasilania 5.5V | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Typ obudowy SOIC | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Maksymalna temperatura robocza 85°C | ||
Liczba styków 32 | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Szerokość 11.43 mm | ||
Seria CY62128E | ||
Wysokość 2.895mm | ||
Długość 20.751mm | ||
Prąd zasilania 16mA | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
- Kraj pochodzenia:
- US
Asynchroniczna statyczna pamięć RAM Cypress Semiconductor
SRAM (Static Random Access Memory)
Powiązane linki
- SRAM 1Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 128k x 16 bitów SOIC 1MHz5 V do 5,5 V
- Pamięć SRAM 1Mbit montaż Otwór przezierny 32 -pinowy 128k x 8 bitów SOJ 1MHz
- SRAM 1Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 128k x 16 bitów SOIC
- SRAM 1Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 128k x 16 bitów TSOP
- SRAM 1Mbit 128k x 8
- Pamięć SRAM 1Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 128k x 8 bitów TSOP
- Pamięć SRAM 1Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 64k x 16 bitów SOJ 1MHz
- Pamięć SRAM 1Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 128k x 8 bitów SOJ 100MHz