Infineon SRAM 1 MB CY62128EV30LL-45ZAXI Powierzchnia 32-pinowy TSOP II
- Nr art. RS:
- 273-7332
- Nr części producenta:
- CY62128EV30LL-45ZAXI
- Producent:
- Infineon
Suma częściowa (1 tacka po 234 sztuk/i)*
1 263,366 zł
(bez VAT)
1 553,994 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
W magazynie
- Dodatkowe 2106 szt. dostępne od 01 czerwca 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Tackę* |
|---|---|---|
| 234 + | 5,399 zł | 1 263,37 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 273-7332
- Nr części producenta:
- CY62128EV30LL-45ZAXI
- Producent:
- Infineon
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Rozmiar pamięci | 1MB | |
| Typ produktu | SRAM | |
| Liczba słów | 128k | |
| Liczba bitów w słowie | 8 | |
| Minimalne napięcie zasilania | 0.3V | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 0.3V | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Typ obudowy | TSOP II | |
| Liczba styków | 32 | |
| Maksymalna temperatura robocza | 85°C | |
| Długość | 18.5mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | RoHS | |
| Wysokość | 8.2mm | |
| Seria | CY62128EV30 | |
| Prąd zasilania | 16mA | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Rozmiar pamięci 1MB | ||
Typ produktu SRAM | ||
Liczba słów 128k | ||
Liczba bitów w słowie 8 | ||
Minimalne napięcie zasilania 0.3V | ||
Maksymalne napięcie zasilania 0.3V | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Typ obudowy TSOP II | ||
Liczba styków 32 | ||
Maksymalna temperatura robocza 85°C | ||
Długość 18.5mm | ||
Normy/Zatwierdzenia RoHS | ||
Wysokość 8.2mm | ||
Seria CY62128EV30 | ||
Prąd zasilania 16mA | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
Statyczna pamięć RAM firmy Infineon to wysokowydajny moduł statycznej pamięci RAM CMOS zorganizowany jako 128 000 słów na 8 bitów. To urządzenie jest wyposażone w zaawansowaną konstrukcję obwodu zapewniającą bardzo niski prąd czynny. Jest to idealne rozwiązanie do zapewnienia dłuższej żywotności baterii w zastosowaniach przenośnych, takich jak telefony komórkowe. Urządzenie jest również wyposażone w funkcję automatycznego wyłączenia, która znacznie zmniejsza zużycie energii, gdy adresy nie są wyłączane. Umieszczenie urządzenia w trybie gotowości zmniejsza zużycie energii o ponad 99 procent po wyłączeniu.
Wysoka prędkość
Bardzo niska moc czynna
Łatwe rozszerzenie pamięci
CMOS zapewnia optymalną prędkość i moc
Automatyczne wyłączenie po wyłączeniu
Powiązane linki
- Infineon SRAM 1 MB Powierzchnia 32-pinowy TSOP II
- Infineon SRAM 1 MB CY62128ELL-45ZAXI 32-pinowy
- Infineon SRAM 4 MB Powierzchnia 32-pinowy TSOP II
- Infineon SRAM 4 MB CY62148EV30LL-45ZSXI Powierzchnia 32-pinowy TSOP II
- Cypress Semiconductor SRAM 1 MB CY62128EV30LL-45ZXI Powierzchnia 32-pinowy 128 K x 8 bitów TSOP
- Infineon SRAM 8 MB Powierzchnia 44-pinowy TSOP II
- Infineon SRAM 4 MB Powierzchnia 44-pinowy TSOP II
- Infineon SRAM 1 MB Powierzchnia 44-pinowy TSOP II