Infineon SRAM 8 MB Powierzchnia 44-pinowy 512 K x 16 TSOP II
- Nr art. RS:
- 273-7346
- Nr części producenta:
- CY62157EV30LL-45ZSXI
- Producent:
- Infineon
Suma częściowa (1 sztuka)*
42,48 zł
(bez VAT)
52,25 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
W magazynie
- Dodatkowe 1327 szt. dostępne od 12 marca 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 1 + | 42,48 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 273-7346
- Nr części producenta:
- CY62157EV30LL-45ZSXI
- Producent:
- Infineon
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Typ produktu | SRAM | |
| Rozmiar pamięci | 8MB | |
| Organizacja | 512 K x 16 | |
| Liczba słów | 512K | |
| Liczba bitów w słowie | 16 | |
| Minimalne napięcie zasilania | 0.3V | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 3.9V | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Typ obudowy | TSOP II | |
| Liczba styków | 44 | |
| Maksymalna temperatura robocza | 85°C | |
| Seria | CY62157EV30 | |
| Szerokość | 1.19 mm | |
| Wysokość | 10.26mm | |
| Długość | 18.51mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | RoHS | |
| Prąd zasilania | 35mA | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Typ produktu SRAM | ||
Rozmiar pamięci 8MB | ||
Organizacja 512 K x 16 | ||
Liczba słów 512K | ||
Liczba bitów w słowie 16 | ||
Minimalne napięcie zasilania 0.3V | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Maksymalne napięcie zasilania 3.9V | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Typ obudowy TSOP II | ||
Liczba styków 44 | ||
Maksymalna temperatura robocza 85°C | ||
Seria CY62157EV30 | ||
Szerokość 1.19 mm | ||
Wysokość 10.26mm | ||
Długość 18.51mm | ||
Normy/Zatwierdzenia RoHS | ||
Prąd zasilania 35mA | ||
Statyczna pamięć RAM firmy Infineon to wysokowydajna statyczna pamięć RAM CMOS zorganizowana jako 512 000 słów na 16 bitów. To urządzenie jest wyposażone w zaawansowaną konstrukcję obwodu zapewniającą bardzo niski prąd czynny. Jest to idealne rozwiązanie do zapewnienia dłuższej żywotności baterii w zastosowaniach przenośnych, takich jak telefony komórkowe. Urządzenie jest również wyposażone w funkcję automatycznego wyłączenia, która znacznie zmniejsza zużycie energii, gdy adresy nie są wyłączane. Po usunięciu wyboru urządzenie można również przełączyć w tryb gotowości.
Wysoka prędkość
Bardzo niska moc w trybie gotowości
Łatwe rozszerzenie pamięci
CMOS zapewnia optymalną prędkość i moc
Automatyczne wyłączenie po wyłączeniu