SRAM 4Mbit 256 K x 16
- Nr art. RS:
- 273-7349
- Nr części producenta:
- CY7C1041G-10ZSXI
- Producent:
- Infineon
Suma częściowa (1 tacka po 135 sztuk/i)*
2 920,32 zł
(bez VAT)
3 591,945 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 23 marca 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Tackę* |
|---|---|---|
| 135 + | 21,632 zł | 2 920,32 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 273-7349
- Nr części producenta:
- CY7C1041G-10ZSXI
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Rozmiar pamięci | 4Mbit | |
| Organizacja | 256 K x 16 | |
| Liczba słów | 256k | |
| Liczba bitów w słowie | 16bit | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Rozmiar pamięci 4Mbit | ||
Organizacja 256 K x 16 | ||
Liczba słów 256k | ||
Liczba bitów w słowie 16bit | ||
Statyczna pamięć RAM firmy Infineon to wysokowydajne, szybkie, statyczne urządzenie pamięci RAM CMOS z wbudowanym ECC. To urządzenie pamięci RAM statycznej jest oferowane w opcji włączania pojedynczego układu i w konfiguracjach wielostykowych. Urządzenie to zawiera styk ERR, który sygnalizuje zdarzenie wykrywania i korekty błędu podczas cyklu odczytu. Zapisy danych są wykonywane poprzez potwierdzenie włączenia układu i wejść włączenia zapisu LOW, przy jednoczesnym dostarczaniu danych na stykach IO 0 przez IO 15 i adresu na stykach A0 przez A17. Wejścia włączania wysokiego bajtów i niskiego bajtów sterują operacjami zapisu do górnych i dolnych bajtów określonej lokalizacji pamięci.
Wysoka prędkość
Niskie prądy aktywne i w trybie gotowości
1-bitowe wykrywanie i korekcja błędów
Wejścia i wyjścia zgodne z TTL
Wbudowany ECC do pojedynczej korekcji błędów bitowych
Niskie prądy aktywne i w trybie gotowości
1-bitowe wykrywanie i korekcja błędów
Wejścia i wyjścia zgodne z TTL
Wbudowany ECC do pojedynczej korekcji błędów bitowych
.
Powiązane linki
- SRAM 4Mbit 256 K x 16
- SRAM 4Mbit 256K x 16
- SRAM 4Mbit 512 K x 8
- Pamięć SRAM 4Mbit 256K x 16
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256k x 16 SOJ-44 100MHz5 V do 5,5 V
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256k x 16 bitów SOJ 100MHz5 V do 5,5 V
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256k x 16 bitów TSOP 1MHz5 V do 5,5 V
- SRAM 1Mbit 64 k x 16
