Infineon SRAM 4 MB CY62146EV30LL-45ZSXI Powierzchnia 44-pinowy TSOP II

SRAM to urządzenie pamięci do montażu powierzchniowego zaprojektowane do pamięci masowej asynchronicznej o niskim poborze mocy w systemach wbudowanych i przemysłowych. Działa w ograniczonym zakresie napięcia, odpowiednim do projektów energooszczędnych i funkcjonuje w rozszerzonych granicach temperatury w wymagających środowiskach. Typ obudowy obsługuje kompaktowe układy płytek i jest zgodny z powszechnymi normami środowiskowymi dotyczącymi podzespołów elektronicznych.

• Zakres zasilania od 2,2 V do 3,6 V zmniejsza zużycie energii i umożliwia elastyczne domeny mocy
• Asynchroniczne synchronizacja ułatwia współpracę z różnymi rodzinami układów logicznych
• Typowy prąd zasilania 20 mA obsługuje zastosowania wrażliwe na energię
• Organizacja 256 tys. słów zapewnia deterministyczne bloki pamięci adresowalnej
• Zgodność z RoHS ułatwia montaż w regulowanych liniach produkcyjnych

• Odpowiednie do systemów wbudowanych wymagających nieulotnego dostępu do pamięci SRAM
• Idealne do sterowników przemysłowych pracujących w ekstremalnych temperaturach
• Do użytku z mikrokontrolerami wymagającymi 16-bitowego przesyłania danych
• Może być używany do buforowania pamięci w urządzeniach komunikacyjnych o niskim poborze mocy
• Odpowiednie do konstrukcji płytek drukowanych wymagających 44-stykowych obudów do montażu powierzchniowego

Wykorzystuje obudowę TSOP II do montażu powierzchniowego z liczbą 44 styków odpowiednią do kompaktowych układów płytek.

Jest przeznaczony do pracy w zakresie od -40°C do 85°C w warunkach temperatur przemysłowych.

Pamięć jest ułożona w formacie 256kx16, co daje 256K adresowalnych słów o szerokości słów 16-bitowych.

Typowy prąd zasilania jest określony na 20 mA do planowania budżetów mocy.