Infineon SRAM 2 MB CY62146EV30LL-45BVXI 22-pinowy 128k x 8
- Nr art. RS:
- 194-8870
- Nr części producenta:
- CY62146EV30LL-45BVXI
- Producent:
- Infineon
Suma częściowa (1 opakowanie po 2 sztuk/i)*
38,43 zł
(bez VAT)
47,268 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 25 maja 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 2 + | 19,215 zł | 38,43 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 194-8870
- Nr części producenta:
- CY62146EV30LL-45BVXI
- Producent:
- Infineon
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Rozmiar pamięci | 2MB | |
| Typ produktu | SRAM | |
| Organizacja | 128k x 8 | |
| Liczba słów | 128k | |
| Liczba bitów w słowie | 8 | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 45ns | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Maksymalna temperatura robocza | 85°C | |
| Liczba styków | 22 | |
| Normy/Zatwierdzenia | RoHS | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Rozmiar pamięci 2MB | ||
Typ produktu SRAM | ||
Organizacja 128k x 8 | ||
Liczba słów 128k | ||
Liczba bitów w słowie 8 | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 45ns | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Maksymalna temperatura robocza 85°C | ||
Liczba styków 22 | ||
Normy/Zatwierdzenia RoHS | ||
Seria Cypress Semiconductor CY62146EV30 to wysokowydajna statyczna pamięć RAM CMOS zorganizowana jako 256 000 słów na 16 bitów. To urządzenie jest wyposażone w zaawansowaną konstrukcję obwodu zapewniającą bardzo niski prąd aktywny. Jest to idealne rozwiązanie do zapewnienia dłuższej żywotności baterii w zastosowaniach przenośnych. Urządzenie jest również wyposażone w funkcję automatycznego wyłączenia, która znacznie zmniejsza zużycie energii.
Bardzo wysoka prędkość typowo 45 ns
Bardzo niskie zasilanie w trybie gotowości
Automatyczne wyłączanie zasilania po usunięciu zaznaczenia
Uzupełniający półprzewodnik z tlenku metalu (CMOS) zapewniający optymalną prędkość i moc
Powiązane linki
- SRAM 4Mbit 256k x 16
- Pamięć SRAM 4Mbit 256K x 16
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256K x 16 bitów TSOP 1MHz
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256K x 16 bitów TSOP
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256K x 16 bitów SOJ 1MHz
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256K słów x 16 bitów TSOP
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 256K x 16 bitów TSOP
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256K x 16 bitów TSOP 1MHz
