Infineon SRAM 1 MB CY7C1021D-10VXI Otwór przelotowy 44-pinowy 64K x 16 bit SOJ
- Nr art. RS:
- 194-8911
- Nr części producenta:
- CY7C1021D-10VXI
- Producent:
- Infineon
Obecnie niedostępne
Przepraszamy, nie mamy informacji, czy ten produkt będzie jeszcze dostępny w magazynie. Zostanie on wkrótce usunięty z oferty RS.
- Nr art. RS:
- 194-8911
- Nr części producenta:
- CY7C1021D-10VXI
- Producent:
- Infineon
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Rozmiar pamięci | 1MB | |
| Typ produktu | SRAM | |
| Organizacja | 64K x 16 bit | |
| Liczba słów | 64K | |
| Liczba bitów w słowie | 16 | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 10ns | |
| Typ pomiaru czasu | Asynchroniczny | |
| Minimalne napięcie zasilania | 5V | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 3.6V | |
| Typ montażu | Otwór przelotowy | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Typ obudowy | SOJ | |
| Maksymalna temperatura robocza | 85°C | |
| Liczba styków | 44 | |
| Długość | 28.7mm | |
| Szerokość | 10.29 mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | RoHS | |
| Wysokość | 3.05mm | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Rozmiar pamięci 1MB | ||
Typ produktu SRAM | ||
Organizacja 64K x 16 bit | ||
Liczba słów 64K | ||
Liczba bitów w słowie 16 | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 10ns | ||
Typ pomiaru czasu Asynchroniczny | ||
Minimalne napięcie zasilania 5V | ||
Maksymalne napięcie zasilania 3.6V | ||
Typ montażu Otwór przelotowy | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Typ obudowy SOJ | ||
Maksymalna temperatura robocza 85°C | ||
Liczba styków 44 | ||
Długość 28.7mm | ||
Szerokość 10.29 mm | ||
Normy/Zatwierdzenia RoHS | ||
Wysokość 3.05mm | ||
To urządzenie jest wyposażone w funkcję automatycznego wyłączenia, która znacznie zmniejsza zużycie energii po wyłączeniu. Styki wejściowe i wyjściowe (I/O0 przez I/O15) są umieszczane w stanie wysokiej impedancji, gdy urządzenie jest wyłączone (CE HIGH), wyjścia są wyłączone (OE HIGH), BHE i BLE są wyłączone (BHE, BLE HIGH) lub podczas operacji zapisu (CE LOW i WE LOW). Zapisuj do urządzenia, biorąc wejścia Chip Enable (CE) i Write Enable (WE) LOW. Jeśli wartość BLE (Byte Low Enable) jest niska, dane ze styków we/wy (I/O0 do I/O7) są zapisywane w miejscu określonym na stykach adresowych (A0 do A15). Jeśli wartość BHE (Bayte High Enable) jest niska, dane ze styków we/wy (I/O8 do I/O15) są zapisywane w miejscu określonym na stykach adresowych (A0 do A15). Odczyt z urządzenia odbywa się poprzez włączenie funkcji Chip Enable (CE) i Output Enable (OE) LOW przy jednoczesnym włączeniu funkcji Write Enable (WE) HIGH. Jeśli wartość BLE (Byte Low Enable) jest niska, dane z lokalizacji pamięci określonej przez styki adresowe pojawiają się na wejściach/wyjściach od wejścia/wyjścia do wejścia/wyjścia7.
Powiązane linki
- Pamięć SRAM 1Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 64k x 16 bitów SOJ 1MHz
- Pamięć SRAM 1Mbit montaż Otwór przezierny 85 -pinowy 64k x 16 bitów SOJ 1MHz
- Pamięć SRAM 1Mbit montaż Otwór przezierny 32 -pinowy 128k x 8 bitów SOJ 1MHz
- SRAM 1Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 128k x 8 bitów SOJ
- Pamięć SRAM 1Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 128k x 8 bitów SOJ 100MHz
- Pamięć SRAM 1Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 64k x 16 bitów TSOP
- Pamięć SRAM 256kbit montaż Otwór przezierny 85 -pinowy 32k x 8 bitów SOJ 1MHz
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 36 -pinowy 512k x 16 bitów SOJ 100MHz
