Infineon SRAM 1 MB CY7C1021D-10VXI Otwór przelotowy 44-pinowy 64K x 16 bit SOJ

Obecnie niedostępne
Przepraszamy, nie mamy informacji, czy ten produkt będzie jeszcze dostępny w magazynie. Zostanie on wkrótce usunięty z oferty RS.
Nr art. RS:
194-8911
Nr części producenta:
CY7C1021D-10VXI
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Rozmiar pamięci

1MB

Typ produktu

SRAM

Organizacja

64K x 16 bit

Liczba słów

64K

Liczba bitów w słowie

16

Maksymalny czas dostępu swobodnego

10ns

Typ pomiaru czasu

Asynchroniczny

Minimalne napięcie zasilania

5V

Maksymalne napięcie zasilania

3.6V

Typ montażu

Otwór przelotowy

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Typ obudowy

SOJ

Maksymalna temperatura robocza

85°C

Liczba styków

44

Długość

28.7mm

Szerokość

10.29 mm

Normy/Zatwierdzenia

RoHS

Wysokość

3.05mm

To urządzenie jest wyposażone w funkcję automatycznego wyłączenia, która znacznie zmniejsza zużycie energii po wyłączeniu. Styki wejściowe i wyjściowe (I/O0 przez I/O15) są umieszczane w stanie wysokiej impedancji, gdy urządzenie jest wyłączone (CE HIGH), wyjścia są wyłączone (OE HIGH), BHE i BLE są wyłączone (BHE, BLE HIGH) lub podczas operacji zapisu (CE LOW i WE LOW). Zapisuj do urządzenia, biorąc wejścia Chip Enable (CE) i Write Enable (WE) LOW. Jeśli wartość BLE (Byte Low Enable) jest niska, dane ze styków we/wy (I/O0 do I/O7) są zapisywane w miejscu określonym na stykach adresowych (A0 do A15). Jeśli wartość BHE (Bayte High Enable) jest niska, dane ze styków we/wy (I/O8 do I/O15) są zapisywane w miejscu określonym na stykach adresowych (A0 do A15). Odczyt z urządzenia odbywa się poprzez włączenie funkcji Chip Enable (CE) i Output Enable (OE) LOW przy jednoczesnym włączeniu funkcji Write Enable (WE) HIGH. Jeśli wartość BLE (Byte Low Enable) jest niska, dane z lokalizacji pamięci określonej przez styki adresowe pojawiają się na wejściach/wyjściach od wejścia/wyjścia do wejścia/wyjścia7.

Powiązane linki