Pamięć SRAM 1Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 64k x 16 bitów SOJ 1MHz
- Nr art. RS:
- 194-8911
- Nr części producenta:
- CY7C1021D-10VXI
- Producent:
- Infineon
Obecnie niedostępne
Przepraszamy, nie mamy informacji, czy ten produkt będzie jeszcze dostępny w magazynie. Zostanie on wkrótce usunięty z oferty RS.
- Nr art. RS:
- 194-8911
- Nr części producenta:
- CY7C1021D-10VXI
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Rozmiar pamięci | 1Mbit | |
| Organizacja | 64k x 16 bitów | |
| Liczba słów | 64k | |
| Liczba bitów w słowie | 16bit | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 10ns | |
| Szerokość magistrali adresowej | 16bit | |
| Częstotliwość zegara | 1MHz | |
| Typ pomiaru czasu | Asynchroniczne | |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy | |
| Typ opakowania | SOJ | |
| Liczba styków | 44 | |
| Wymiary | 1.13 x 0.405 x 0.12cal | |
| Wysokość | 3.05mm | |
| Maksymalne robocze napięcie zasilania | 5 V | |
| Szerokość | 10.29mm | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Długość | 28.7mm | |
| Maksymalna temperatura robocza | +85°C | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Rozmiar pamięci 1Mbit | ||
Organizacja 64k x 16 bitów | ||
Liczba słów 64k | ||
Liczba bitów w słowie 16bit | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 10ns | ||
Szerokość magistrali adresowej 16bit | ||
Częstotliwość zegara 1MHz | ||
Typ pomiaru czasu Asynchroniczne | ||
Typ montażu Montaż powierzchniowy | ||
Typ opakowania SOJ | ||
Liczba styków 44 | ||
Wymiary 1.13 x 0.405 x 0.12cal | ||
Wysokość 3.05mm | ||
Maksymalne robocze napięcie zasilania 5 V | ||
Szerokość 10.29mm | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Długość 28.7mm | ||
Maksymalna temperatura robocza +85°C | ||
To urządzenie jest wyposażone w funkcję automatycznego wyłączania, która znacznie zmniejsza pobór mocy po wyłączeniu. Styki wejścia i wyjścia (i/O0 do i/O15) są przełączane w stan wysokiej impedancji, gdy urządzenie jest wyłączone (CE HIGH), wyjścia są wyłączone (OE HIGH), BHE i BLE są wyłączone (BHE, BLE HIGH) lub podczas operacji zapisu (CE LOW i WE LOW). Zapisz w urządzeniu, korzystając Z WEJŚĆ włączenia układu (CE) i włączenia zapisu (WE). Jeśli sygnał włączenia niskiego bajtu (BLE) JEST NISKI, dane ze styków we/wy (i/O0 do i/O7) są zapisywane w miejscu określonym na stykach adresu (A0 do A15). Jeśli bajt High Enable (BHE) JEST NISKI, dane ze styków we/wy (i/O8 do i/O15) są zapisywane w miejscu określonym na stykach adresu (A0 do A15).
.
Powiązane linki
- Pamięć SRAM 1Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 64k x 16 bitów SOJ 1MHz
- Pamięć SRAM 1Mbit montaż Otwór przezierny 85 -pinowy 64k x 16 bitów SOJ 1MHz
- Pamięć SRAM 1Mbit montaż Otwór przezierny 32 -pinowy 128k x 8 bitów SOJ 1MHz
- SRAM 1Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 128k x 8 bitów SOJ
- Pamięć SRAM 1Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 64k x 16 bitów TSOP
- SRAM 1024kbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 64k x 16 bitów TSOP-44 1MHz5 V do 5,5 V
- SRAM 1Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 64k x 16 bitów TSOP 1MHz6 V
- Pamięć SRAM 1Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 128k x 8 bitów SOJ 100MHz
