Infineon SRAM 4 MB CY7C1049G30-10VXI 44-pinowy 512K x 8 bitów 36-stykowe formowane SOJ/44-stykowe TSOP II 100 MHz

Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 tuba po 19 sztuk/i)*

327,294 zł

(bez VAT)

402,572 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Informacje o zapasach są obecnie niedostępne - Sprawdź ponownie później

Produkty
Za jednostkę
Za Tubę*
19 - 1917,226 zł327,29 zł
38 +16,83 zł319,77 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
273-7352
Nr części producenta:
CY7C1049G30-10VXI
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Typ produktu

SRAM

Rozmiar pamięci

4MB

Liczba słów

512K

Liczba bitów w słowie

8

Maksymalny czas dostępu swobodnego

10ns

Szerokość magistrali adresowej

19bit

Maksymalna częstotliwość zegara

100MHz

Typ pomiaru czasu

Asynchroniczny

Minimalne napięcie zasilania

0.5V

Maksymalne napięcie zasilania

6V

Minimalna temperatura robocza

-55°C

Typ obudowy

36-stykowe formowane SOJ/44-stykowe TSOP II

Maksymalna temperatura robocza

150°C

Liczba styków

44

Normy/Zatwierdzenia

RoHS

Seria

CY7C1049G / CY7C1049GE

Norma motoryzacyjna

Nie

Statyczna pamięć RAM firmy Infineon to wysokowydajne, szybkie, statyczne urządzenie pamięci RAM CMOS z wbudowanym ECC. Urządzenie to zawiera styk ERR, który sygnalizuje zdarzenie wykrywania i korekty błędu podczas cyklu odczytu. Zapisy danych są wykonywane poprzez stwierdzenie, że wejścia Chip Enable i Write Enable są niskie, przy jednoczesnym dostarczaniu danych na stykach IO 0 do IO 7 i adresu na stykach A0 do A18.

Wysoka prędkość

Niskie prądy aktywne i w trybie gotowości

1-bitowe wykrywanie i korekcja błędów

Wejścia i wyjścia zgodne z TTL

Wbudowany ECC do pojedynczej korekcji błędów bitowych

Powiązane linki