Renesas Electronics Pamięć SRAM 4 MB 71V416S12PHGI 44-pinowy
- Nr art. RS:
- 254-4967P
- Nr części producenta:
- 71V416S12PHGI
- Producent:
- Renesas Electronics
Skorzystaj ze zniżki hurtowej
Dodaj jeszcze 25, aby zaoszczędzić 1%
Zobacz ceny hurtoweSuma częściowa 10 sztuk/i (dostarczane na tacy/w zasobniku)*
423,80 zł
(bez VAT)
521,30 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
W magazynie
- Dodatkowe 94 szt. dostępne od 09 listopada 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Oszczędzasz |
|---|---|---|
| 10 - 24 | 42,38 zł | - |
| 25 + | 41,54 zł | 1% |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 254-4967P
- Nr części producenta:
- 71V416S12PHGI
- Producent:
- Renesas Electronics
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Renesas Electronics | |
| Rozmiar pamięci | 4MB | |
| Typ produktu | Pamięć SRAM | |
| Liczba słów | 262144 Words | |
| Liczba bitów w słowie | 16 | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 12ns | |
| Szerokość magistrali adresowej | 18bit | |
| Minimalne napięcie zasilania | 3V | |
| Typ pomiaru czasu | Asynchroniczny | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 3.6V | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Maksymalna temperatura robocza | 85°C | |
| Liczba styków | 44 | |
| Długość | 9mm | |
| Wysokość | 9mm | |
| Seria | 71V416 | |
| Normy/Zatwierdzenia | JEDECLVTTL-Compatible | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Prąd zasilania | 200mA | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Renesas Electronics | ||
Rozmiar pamięci 4MB | ||
Typ produktu Pamięć SRAM | ||
Liczba słów 262144 Words | ||
Liczba bitów w słowie 16 | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 12ns | ||
Szerokość magistrali adresowej 18bit | ||
Minimalne napięcie zasilania 3V | ||
Typ pomiaru czasu Asynchroniczny | ||
Maksymalne napięcie zasilania 3.6V | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Maksymalna temperatura robocza 85°C | ||
Liczba styków 44 | ||
Długość 9mm | ||
Wysokość 9mm | ||
Seria 71V416 | ||
Normy/Zatwierdzenia JEDECLVTTL-Compatible | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
Prąd zasilania 200mA | ||
Asynchroniczna statyczna pamięć RAM firmy Renesas Electronics z centralną pamięcią pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci p Jest produkowany w technologii CMOS o wysokiej wydajności i niezawodności. Ta najnowocześniejsza technologia w połączeniu z innowacyjnymi technikami projektowania obwodów stanowi ekonomiczne rozwiązanie dla potrzeb pamięci o wysokiej prędkości. Jest wyposażony w styk aktywacji wyjścia, który pracuje z prędkością do 5 ns, a czas dostępu do adresu z prędkością do 10 ns. Znajduje się w 44-stykowej plastikowej obudowie SOJ 400 mil i 44-stykowej obudowie TSOP typu II 400 mil oraz w 48-stykowej obudowie z siatką kulkową 9 mm x 9 mm.
Zaawansowana szybka statyczna pamięć RAM CMOS 256 K x 16, zasilanie centralne JEDEC / wyprowadzenie styków GND w celu zmniejszenia szumów. Jeden wybór układu i jeden wyjście umożliwiające styki Dwukierunkowe wejścia i wyjścia danych bezpośrednio zgodne z LVTTL Niskie zużycie energii poprzez wyłączanie wyboru układu Górne i dolne styki włączania Pojedyncze zasilanie 3,3 V Dostępne w 44-stykowej, 400 mil plastikowej obudowie SOJ i 44-stykowej, 400 mil TSOP typu II obudowie oraz 48-stykowej obudowie z siatką kulkową 9 mm x 9 mm. Dostępne zielone części, patrz informacje dotyczące zamówienia