SRAM 16kB 2K x 8
- Nr art. RS:
- 262-8970
- Nr części producenta:
- 6116LA25SOGI
- Producent:
- Renesas Electronics
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 sztuka)*
28,55 zł
(bez VAT)
35,12 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
W magazynie
- Dodatkowe 208 szt. dostępne od 05 stycznia 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 1 - 9 | 28,55 zł |
| 10 - 24 | 26,01 zł |
| 25 - 49 | 25,61 zł |
| 50 - 99 | 25,29 zł |
| 100 + | 22,77 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 262-8970
- Nr części producenta:
- 6116LA25SOGI
- Producent:
- Renesas Electronics
Dane techniczne
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Renesas Electronics | |
| Rozmiar pamięci | 16kB | |
| Organizacja | 2K x 8 | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 25ns | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Renesas Electronics | ||
Rozmiar pamięci 16kB | ||
Organizacja 2K x 8 | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 25ns | ||
- Kraj pochodzenia:
- TW
Pamięć SRAM CMOS firmy Renesas Electronics jest zorganizowana w formacie 2K x 8. SRAM oferuje tryb czuwania o obniżonej mocy. Wersja o niskiej mocy (LA) oferuje również możliwość przechowywania danych w kopii zapasowej akumulatora, gdzie obwód zazwyczaj zużywa tylko 1μW do 4μW, działając na akumulatorze 2V. Wszystkie wejścia i wyjścia są zgodne z TTL. Wykorzystuje się w pełni statyczne obwody asynchroniczne, które nie wymagają zegarów ani odświeżania do pracy. Dostępny jest produkt klasy wojskowej.
Niskie zużycie energii
Zapasowe działanie akumulatora, napięcie przechowywania danych 2 V
Wyprodukowano z wykorzystaniem zaawansowanej technologii CMOS o wysokiej wydajności
Proces CMOS praktycznie eliminuje miękkie błędy cząstek alfa
Wejście i wyjście bezpośrednio zgodne z TTL
Nie wymaga zegarów ani odświeżania
Zapasowe działanie akumulatora, napięcie przechowywania danych 2 V
Wyprodukowano z wykorzystaniem zaawansowanej technologii CMOS o wysokiej wydajności
Proces CMOS praktycznie eliminuje miękkie błędy cząstek alfa
Wejście i wyjście bezpośrednio zgodne z TTL
Nie wymaga zegarów ani odświeżania
.
Powiązane linki
- SRAM 16kB 2K x 8
- Czip EEPROM Otwór przezierny 16kB 8-pinowy PDIP 2K x 8 bitów
- Czip EEPROM Montaż powierzchniowy 16kB 8-pinowy SOIC-8 2K x 8 bitów
- Czip EEPROM Montaż powierzchniowy 16kB 8-pinowy SOP 2K x 8 bitów
- Czip EEPROM Montaż powierzchniowy 16kB 8-pinowy SOIC 2K x 8 bitów
- Pamięć EEPROM Montaż powierzchniowy 16kB 5-pinowy SOT-23 2K x 8 bitów
- SRAM 16kbit Montaż powierzchniowy 52 -pinowy 2K x 8 TQFP-525 V do 5,5 V
- SRAM 16kbit Montaż powierzchniowy 52 -pinowy 2K x 8 PLCC-525 V do 5,5 V