Renesas Electronics SRAM 16 kB 6116LA25SOGI Powierzchnia 24-pinowy Rura
- Nr art. RS:
- 262-8968
- Nr części producenta:
- 6116LA25SOGI
- Producent:
- Renesas Electronics
Obecnie niedostępne
Nie wiemy, czy ten produkt będzie ponownie dostępny, został wycofywany przez producenta.
- Nr art. RS:
- 262-8968
- Nr części producenta:
- 6116LA25SOGI
- Producent:
- Renesas Electronics
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Renesas Electronics | |
| Typ produktu | SRAM | |
| Rozmiar pamięci | 16kB | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 25ns | |
| Typ pomiaru czasu | Asynchroniczny | |
| Minimalne napięcie zasilania | 4.5V | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 5.5V | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Typ obudowy | Rura | |
| Liczba styków | 24 | |
| Maksymalna temperatura robocza | 85°C | |
| Seria | 6116LA25 | |
| Normy/Zatwierdzenia | REACH, RoHS | |
| Prąd zasilania | 95mA | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Renesas Electronics | ||
Typ produktu SRAM | ||
Rozmiar pamięci 16kB | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 25ns | ||
Typ pomiaru czasu Asynchroniczny | ||
Minimalne napięcie zasilania 4.5V | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Maksymalne napięcie zasilania 5.5V | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Typ obudowy Rura | ||
Liczba styków 24 | ||
Maksymalna temperatura robocza 85°C | ||
Seria 6116LA25 | ||
Normy/Zatwierdzenia REACH, RoHS | ||
Prąd zasilania 95mA | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
- Kraj pochodzenia:
- TW
Pamięć SRAM CMOS firmy Renesas Electronics jest zorganizowana w formacie 2K x 8. SRAM oferuje tryb czuwania o obniżonej mocy. Wersja o niskiej mocy (LA) oferuje również możliwość przechowywania danych w kopii zapasowej akumulatora, gdzie obwód zazwyczaj zużywa tylko 1μW do 4μW, działając na akumulatorze 2V. Wszystkie wejścia i wyjścia są zgodne z TTL. Wykorzystuje się w pełni statyczne obwody asynchroniczne, które nie wymagają zegarów ani odświeżania do pracy. Dostępny jest produkt klasy wojskowej.
Niskie zużycie energii
Zapasowe działanie akumulatora, napięcie przechowywania danych 2 V
Wyprodukowano z wykorzystaniem zaawansowanej technologii CMOS o wysokiej wydajności
Proces CMOS praktycznie eliminuje miękkie błędy cząstek alfa
Wejście i wyjście bezpośrednio zgodne z TTL
Nie wymaga zegarów ani odświeżania
Powiązane linki
- Renesas Electronics SRAM 16 kB 6116LA25SOGI Powierzchnia 24-pinowy Rura
- Renesas Electronics SRAM 512 kB Powierzchnia 100-pinowy 32K x 16 bitów TQFP
- Renesas Electronics SRAM 1024 kB Powierzchnia 100-pinowy 64K x 16 bitów TQFP
- Renesas Electronics SRAM 16 kB Powierzchnia 52-pinowy 2K x 8 bitów TQFP
- Renesas Electronics SRAM 256 kB Powierzchnia 100-pinowy 16K x 16 bitów TQFP
- Renesas Electronics SRAM 128 kB Powierzchnia 100-pinowy 8K x 16 bitów TQFP
- Renesas Electronics SRAM 64 kB Powierzchnia 100-pinowy 4K x 16 bitów TQFP
- Renesas Electronics Pamięć SRAM 256 kB 71256SA25TPG