Infineon SRAM 64 MB CY62187EV30LL-55BAXI Powierzchnia 48-pinowy 4M x 16 FBGA
- Nr art. RS:
- 273-5285
- Nr części producenta:
- CY62187EV30LL-55BAXI
- Producent:
- Infineon
Suma częściowa (1 tacka po 210 sztuk/i)*
61 636,47 zł
(bez VAT)
75 812,94 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 25 maja 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Tackę* |
|---|---|---|
| 210 + | 293,507 zł | 61 636,47 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 273-5285
- Nr części producenta:
- CY62187EV30LL-55BAXI
- Producent:
- Infineon
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Typ produktu | SRAM | |
| Rozmiar pamięci | 64MB | |
| Organizacja | 4M x 16 | |
| Liczba słów | 4000K | |
| Liczba bitów w słowie | 16 | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 55ns | |
| Minimalne napięcie zasilania | 0.3V | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 3.9V | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Typ obudowy | FBGA | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Liczba styków | 48 | |
| Maksymalna temperatura robocza | 85°C | |
| Długość | 9.5mm | |
| Wysokość | 8mm | |
| Szerokość | 1.4 mm | |
| Seria | CY62187EV30 | |
| Normy/Zatwierdzenia | RoHS | |
| Prąd zasilania | 55mA | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Typ produktu SRAM | ||
Rozmiar pamięci 64MB | ||
Organizacja 4M x 16 | ||
Liczba słów 4000K | ||
Liczba bitów w słowie 16 | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 55ns | ||
Minimalne napięcie zasilania 0.3V | ||
Maksymalne napięcie zasilania 3.9V | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Typ obudowy FBGA | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Liczba styków 48 | ||
Maksymalna temperatura robocza 85°C | ||
Długość 9.5mm | ||
Wysokość 8mm | ||
Szerokość 1.4 mm | ||
Seria CY62187EV30 | ||
Normy/Zatwierdzenia RoHS | ||
Prąd zasilania 55mA | ||
Pamięć SRAM firmy Infineon to wysokowydajna statyczna pamięć RAM CMOS zorganizowana jako 4 miliony słów na 16 bitów. To urządzenie jest wyposażone w zaawansowaną konstrukcję obwodu zapewniającą bardzo niski prąd czynny. Idealnie nadaje się do zapewnienia większej żywotności bateriiTM w aplikacjach przenośnych, takich jak telefony komórkowe. Urządzenie jest również wyposażone w funkcję automatycznego wyłączenia, która znacznie zmniejsza zużycie energii o 99 procent, gdy adresy nie są wyłączane.
Bardzo wysoka prędkość
Bardzo niska moc czynna
Bardzo niska moc w trybie gotowości
CMOS zapewnia optymalną prędkość i moc
Automatyczne wyłączenie po wyłączeniu
Powiązane linki
- SRAM 64Mbit 4M x 16
- SRAM 64Mbit Montaż powierzchniowy 48 -pinowy 4M słów x 16 bitów, 8M słów x 8 bitów TSOP
- SRAM 64Mbit Montaż powierzchniowy 48 -pinowy 4M x 16 TSOP-487 V do 3,6 V
- SRAM 64Mbit Montaż powierzchniowy 48 -pinowy 4 MB x 16 bitów FBGA
- SRAM 32Mbit Montaż powierzchniowy 48 -pinowy 2M słów x 16 bitów, 4M słów x 8 bitów TSOP
- SRAM 4Mbit 256K x 16
- SRAM 1Mbit 64K x 16
- SRAM 1MB 256K x 16
