Infineon SRAM 128 MB FBGA-24 kulowe 200 MHz

Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 sztuka)*

22,50 zł

(bez VAT)

27,68 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Ograniczona ilość
  • Dodatkowe 1 szt. dostępne od 16 marca 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
1 - 922,50 zł
10 - 2420,75 zł
25 - 4919,94 zł
50 - 9919,53 zł
100 +18,18 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
273-5438
Nr części producenta:
S70KL1282GABHV020
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Typ produktu

SRAM

Rozmiar pamięci

128MB

Liczba bitów w słowie

16

Maksymalny czas dostępu swobodnego

35ns

Maksymalna częstotliwość zegara

200MHz

Typ pomiaru czasu

DDR

Minimalne napięcie zasilania

1.8V

Maksymalne napięcie zasilania

3V

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Typ obudowy

FBGA-24 kulowe

Maksymalna temperatura robocza

105°C

Normy/Zatwierdzenia

No

Seria

HYPERRAM

Norma motoryzacyjna

AEC-Q100

Pamięć DRAM firmy Infineon to szybka, samodzielnie odświeżająca się pamięć DRAM CMOS z interfejsem HYPERBUSTM. Układ pamięci DRAM wykorzystuje ogniwa dynamiczne, które wymagają okresowego odświeżania. Logika sterowania odświeżaniem wewnątrz urządzenia zarządza operacjami odświeżania na układzie DRAM, gdy pamięć nie jest aktywnie odczytywana lub zapisywana przez interfejs mistrza HYPERBUSTM. Ponieważ hosta nie jest wymagany do zarządzania żadnymi operacjami odświeżania, układ DRAM wygląda na hosta, jakby pamięć korzystała z komórek statycznych, które zatrzymują dane bez odświeżania. Dlatego pamięć jest dokładniej określana jako pseudostatyczna pamięć RAM.

Interfejs HYPERBUSTM

Maksymalna szybkość zegara 200 MHz

Konfigurowalne właściwości pęknięcia

Przepustowość danych do 400 MB/s

Dwukierunkowy stroboskop odczytu i zapisu danych

Opcjonalny stroboskop odczytu z wyrównaniem środkowym DDR

Powiązane linki