Infineon SRAM 128 MB FBGA-24 kulowe 200 MHz
- Nr art. RS:
- 273-5438
- Nr części producenta:
- S70KL1282GABHV020
- Producent:
- Infineon
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 sztuka)*
22,50 zł
(bez VAT)
27,68 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
Ograniczona ilość
- Dodatkowe 1 szt. dostępne od 16 marca 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 1 - 9 | 22,50 zł |
| 10 - 24 | 20,75 zł |
| 25 - 49 | 19,94 zł |
| 50 - 99 | 19,53 zł |
| 100 + | 18,18 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 273-5438
- Nr części producenta:
- S70KL1282GABHV020
- Producent:
- Infineon
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Typ produktu | SRAM | |
| Rozmiar pamięci | 128MB | |
| Liczba bitów w słowie | 16 | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 35ns | |
| Maksymalna częstotliwość zegara | 200MHz | |
| Typ pomiaru czasu | DDR | |
| Minimalne napięcie zasilania | 1.8V | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 3V | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Typ obudowy | FBGA-24 kulowe | |
| Maksymalna temperatura robocza | 105°C | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Seria | HYPERRAM | |
| Norma motoryzacyjna | AEC-Q100 | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Typ produktu SRAM | ||
Rozmiar pamięci 128MB | ||
Liczba bitów w słowie 16 | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 35ns | ||
Maksymalna częstotliwość zegara 200MHz | ||
Typ pomiaru czasu DDR | ||
Minimalne napięcie zasilania 1.8V | ||
Maksymalne napięcie zasilania 3V | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Typ obudowy FBGA-24 kulowe | ||
Maksymalna temperatura robocza 105°C | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Seria HYPERRAM | ||
Norma motoryzacyjna AEC-Q100 | ||
Pamięć DRAM firmy Infineon to szybka, samodzielnie odświeżająca się pamięć DRAM CMOS z interfejsem HYPERBUSTM. Układ pamięci DRAM wykorzystuje ogniwa dynamiczne, które wymagają okresowego odświeżania. Logika sterowania odświeżaniem wewnątrz urządzenia zarządza operacjami odświeżania na układzie DRAM, gdy pamięć nie jest aktywnie odczytywana lub zapisywana przez interfejs mistrza HYPERBUSTM. Ponieważ hosta nie jest wymagany do zarządzania żadnymi operacjami odświeżania, układ DRAM wygląda na hosta, jakby pamięć korzystała z komórek statycznych, które zatrzymują dane bez odświeżania. Dlatego pamięć jest dokładniej określana jako pseudostatyczna pamięć RAM.
Interfejs HYPERBUSTM
Maksymalna szybkość zegara 200 MHz
Konfigurowalne właściwości pęknięcia
Przepustowość danych do 400 MB/s
Dwukierunkowy stroboskop odczytu i zapisu danych
Opcjonalny stroboskop odczytu z wyrównaniem środkowym DDR
Powiązane linki
- Infineon SRAM 128 MB S70KL1282GABHV020 FBGA-24 kulowe 200 MHz
- Infineon SRAM 64 MB Powierzchnia 48-pinowy 4M x 16 FBGA
- Infineon SRAM 64 MB CY62187EV30LL-55BAXI Powierzchnia 48-pinowy 4M x 16 FBGA
- Infineon SDRAM 64 MB 24-pinowy FBGA-24 kulowe Powierzchnia 8 bit 105 °C -40 °C
- Infineon SDRAM S27KL0642DPBHI020 64 MB 24-pinowy FBGA-24 kulowe Powierzchnia 8 bit 105 °C -40 °C
- Infineon SRAM 1 MB Powierzchnia 32-pinowy 128 K x 8 TSOP I
- Infineon SRAM 1 MB CY7C109D-10VXI Powierzchnia 32-pinowy 128 K x 8 TSOP I
- Infineon SRAM 1 MB 44-pinowy 64K x 16 bit 100 MHz
