ISSI SRAM 8 MB IS62WV51216BLL-55TLI Powierzchnia 44-pinowy 512k x 16 Bit TSOP
- Nr art. RS:
- 811-5223
- Nr części producenta:
- IS62WV51216BLL-55TLI
- Producent:
- ISSI
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 sztuka)*
32,76 zł
(bez VAT)
40,29 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
W magazynie
- 27 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
- Dodatkowe 565 szt. dostępne od 18 lutego 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 1 - 9 | 32,76 zł |
| 10 - 49 | 31,01 zł |
| 50 - 99 | 30,15 zł |
| 100 - 499 | 29,39 zł |
| 500 + | 28,67 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 811-5223
- Nr części producenta:
- IS62WV51216BLL-55TLI
- Producent:
- ISSI
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | ISSI | |
| Rozmiar pamięci | 8MB | |
| Typ produktu | SRAM | |
| Organizacja | 512k x 16 Bit | |
| Liczba słów | 512K | |
| Liczba bitów w słowie | 16 | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 55ns | |
| Szerokość magistrali adresowej | 19bit | |
| Typ pomiaru czasu | Asynchroniczny | |
| Minimalne napięcie zasilania | 2.5V | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 3.6V | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Typ obudowy | TSOP | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Liczba styków | 44 | |
| Maksymalna temperatura robocza | 85°C | |
| Wysokość | 1.05mm | |
| Długość | 18.52mm | |
| Szerokość | 10.29 mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Seria | IS62WV51216BLL | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Prąd zasilania | 5mA | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka ISSI | ||
Rozmiar pamięci 8MB | ||
Typ produktu SRAM | ||
Organizacja 512k x 16 Bit | ||
Liczba słów 512K | ||
Liczba bitów w słowie 16 | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 55ns | ||
Szerokość magistrali adresowej 19bit | ||
Typ pomiaru czasu Asynchroniczny | ||
Minimalne napięcie zasilania 2.5V | ||
Maksymalne napięcie zasilania 3.6V | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Typ obudowy TSOP | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Liczba styków 44 | ||
Maksymalna temperatura robocza 85°C | ||
Wysokość 1.05mm | ||
Długość 18.52mm | ||
Szerokość 10.29 mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Seria IS62WV51216BLL | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
Prąd zasilania 5mA | ||
- Kraj pochodzenia:
- TW
Statyczna pamięć RAM, ISSI
Produkty ISSI Static RAM wykorzystują wysokowydajną technologię CMOS. Istnieje szeroki zakres statycznych pamięci RAM, które obejmują asynchroniczne pamięci SRAM 5 V o dużej szybkości, asynchroniczną pamięć SRAM o niskiej mocy o małej mocy, asynchroniczne moduły SRAM o niskim poborze mocy 5 V, statyczne pamięci RAM o bardzo niskim poborze mocy i asynchroniczne moduły pamięci SRAM o niższym poborze mocy PowerSaver TM. Urządzenia ISSI SRAM są dostępne w różnych środowiskach pod względem napięcia, rozmiaru pamięci i różnych organizacji. Są one odpowiednie w zastosowaniach takich jak pamięć podręczna CPU, procesory wbudowane, dyski twarde i przełączniki do przemysłowych układów elektronicznych.
Zasilanie: 1,8 V/3,3 V/5 V.
Dostępne pakiety: BGA, SOP, STSOP, TSOP
Dostępny wybór konfiguracji: X8 i x16
Funkcja ECC dostępna dla szybkich asynchronicznych modułów pamięci SRAM
SRAM (Static Random Access Memory)
Powiązane linki
- SRAM 8Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 512k x 16 bitów TSOP5 V do 3,6 V
- SRAM 8Mbit Montaż powierzchniowy 48 -pinowy 512k x 16 bitów BGA5 V do 3,6 V
- SRAM 8Mbit Montaż powierzchniowy 48 -pinowy 512k x 16 bitów BGA
- SRAM 8Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 512k x 16 bitów TSOP
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256k x 16 bitów TSOP5 V do 3,6 V
- SRAM 8Mbit Montaż powierzchniowy 48 -pinowy 1024K słów x 8 bitów, 512K słów x 16 bitów TSOP
- SRAM 8Mbit Montaż powierzchniowy 52 -pinowy 1024K słów x 8 bitów, 512K słów x 16 bitów TSOP
- SRAM 8Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 512k x 16 TSOP4 V do 3,6 V