Transoptor FOD3125 IGBT, MOSFET 1-kanałowy DC PDIP 8 onsemi

Zobacz wszystkie Transoptory
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 opakowanie po 1000 sztuk/i)*

7 564,00 zł

(bez VAT)

9 304,00 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • Dostępne od 23 kwietnia 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Za Opakowanie*
1000 - 10007,564 zł7 564,00 zł
2000 - 40007,37 zł7 370,00 zł
5000 +7,186 zł7 186,00 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
189-0184
Nr części producenta:
FOD3125
Producent:
onsemi
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

onsemi

Typ montażu

Przewlekany

Urządzenie wyjściowe

IGBT, MOSFET

Maksymalne napięcie przekazania

1.8V

Liczba kanałów

1

Liczba styków

8

Typ opakowania

PDIP

Typ prądu wejściowego

DC

Typowy czas narastania sygnału

60ns

Maksymalny prąd wejściowy

16 mA

Napięcie izolacji

5000 Vrms ac

Wyjście logiczne

Tak

Typowy czas opadania sygnału

60ns

Seria

FOD

Model FOD3125 jest optoizolatorem wyjścia o natężeniu 2,5 A, który umożliwia sterowanie tranzystorem IGBT/MOSFET o mocy maksymalnej 125°C. Idealnie nadaje się do szybkiego przełączania tranzystorów mocy IGBT i MOSFET wykorzystywanych w inwerterze sterowania silnikiem i wysokowydajnym systemie zasilania. Wykorzystuje on technologię koplanar opakowaniowy firmy ON Semiconductor, Optoplanar® i zoptymalizowaną konstrukcję IC do uzyskania wysokiej odporności na zakłócenia, charakteryzującą się wysokim, powszechnym odrzuceniem trybu. Składa się on z diody elektroluminescencyjnej arsenu glinu galu (AlGaAs) sprzężonej optycznie z układem scalonym z szybkim sterownikiem dla stopnia wyjściowego MOSFET metodą "naciśnij i pociągnij".

Rozszerzony zakres temperatur przemysłowych, od -40°C do 125°C.
Odporność na zakłócenia o wysokiej odporności na zakłócenia minimalne wytłumienie szumu 35 kV/μs
Peak Output Capability (prąd szczytowy) o maksymalnym natężeniu prądu wyjściowego (IGBT) 1200 V/20 A.
Użycie P-kanałowych tranzystorów MOSFET na etapie wyjściowym umożliwia zbliżenie napięcia wyjściowego do szyny zasilającej
Wysoka szybkość przełączania
Szeroki zakres napięcia zasilania od 15 V do 30 V.
Wysoka szybkość przełączania
Maks. 400 ns Opóźnienie propagacji
Maks. 100 ns Zniekształcenia szerokości impulsu
Blokada niskiego napięcia (UVLO) z histerezą
Zastosowania
Przemiennik przemysłowy
Zasilacz bezprzerwowy
Ogrzewanie indukcyjne
Izolowany napęd bramki IGBT/Power MOSFET

.


Powiązane linki