Transoptor 1-kanałowy DC Montaż powierzchniowy SMT 8-pinowy onsemi

Zobacz wszystkie Transoptory

Suma częściowa (1 opakowanie po 1000 sztuk/i)*

6 730,00 zł

(bez VAT)

8 280,00 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Informacje o zapasach są obecnie niedostępne - Sprawdź ponownie później
Produkty
Za jednostkę
Za Opakowanie*
1000 +6,73 zł6 730,00 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
189-0185
Nr części producenta:
FOD3125S
Producent:
onsemi
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

onsemi

Typ montażu

Montaż powierzchniowy

Typ produktu

Transoptor

Maksymalne napięcie przekazania

1.8V

Opakowanie

Rura

Liczba kanałów

1

Liczba styków

8

Typ obudowy

SMT

Typ prądu wejściowego

DC

Typowy czas narastania sygnału

60ns

Maksymalny prąd wejściowy

16mA

Napięcie izolacji

5000Vrms

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Wyjście logiczne

Tak

Maksymalna temperatura robocza

125°C

Typowy czas opadania sygnału

60ns

Normy/Zatwierdzenia

UL1577, DIN EN/IEC60747-5-5

Seria

FOD

Norma motoryzacyjna

Nie

Model FOD3125 jest optoizolatorem wyjścia o natężeniu 2,5 A, który umożliwia sterowanie tranzystorem IGBT/MOSFET o mocy maksymalnej 125°C. Idealnie nadaje się do szybkiego przełączania tranzystorów mocy IGBT i MOSFET wykorzystywanych w inwerterze sterowania silnikiem i wysokowydajnym systemie zasilania. Wykorzystuje on technologię koplanar opakowaniowy firmy ON Semiconductor, Optoplanar® i zoptymalizowaną konstrukcję IC do uzyskania wysokiej odporności na zakłócenia, charakteryzującą się wysokim, powszechnym odrzuceniem trybu. Składa się on z diody elektroluminescencyjnej arsenu glinu galu (AlGaAs) sprzężonej optycznie z układem scalonym z szybkim sterownikiem dla stopnia wyjściowego MOSFET metodą "naciśnij i pociągnij".

Rozszerzony zakres temperatur przemysłowych, od -40°C do 125°C.

Odporność na zakłócenia o wysokiej odporności na zakłócenia minimalne wytłumienie szumu 35 kV/μs

Peak Output Capability (prąd szczytowy) o maksymalnym natężeniu prądu wyjściowego (IGBT) 1200 V/20 A.

Użycie P-kanałowych tranzystorów MOSFET na etapie wyjściowym umożliwia zbliżenie napięcia wyjściowego do szyny zasilającej

Wysoka szybkość przełączania

Szeroki zakres napięcia zasilania od 15 V do 30 V.

Wysoka szybkość przełączania

Maks. 400 ns Opóźnienie propagacji

Maks. 100 ns Zniekształcenia szerokości impulsu

Blokada niskiego napięcia (UVLO) z histerezą

Zastosowania

Przemiennik przemysłowy

Zasilacz bezprzerwowy

Ogrzewanie indukcyjne

Izolowany napęd bramki IGBT/Power MOSFET

Powiązane linki