AEC-Q101 Transoptor 1-kanałowy DC Montaż powierzchniowy SO 16-pinowy Broadcom

Zobacz wszystkie Transoptory

Suma częściowa (1 tuba po 45 sztuk/i)*

783,45 zł

(bez VAT)

963,45 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Informacje o zapasach są obecnie niedostępne - Sprawdź ponownie później
Produkty
Za jednostkę
Za Tubę*
45 +17,41 zł783,45 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
239-9301
Nr części producenta:
ASSR-601JT-000E
Producent:
Broadcom
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Broadcom

Typ produktu

Transoptor

Typ montażu

Montaż powierzchniowy

Maksymalne napięcie przekazania

1.85V

Liczba kanałów

1

Opakowanie

Taśma i szpula lub tuba

Liczba styków

16

Typ obudowy

SO

Typ prądu wejściowego

DC

Maksymalny prąd wejściowy

30mA

Napięcie izolacji

5000Vrms

Wyjście logiczne

NIE

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Maksymalna temperatura robocza

125°C

Normy/Zatwierdzenia

IEC/EN/DIN EN 60747-5-5, UL1577, CSA

Seria

ASSR-601JT

Norma motoryzacyjna

AEC-Q101

Kraj pochodzenia:
TH
Broadcom ASR-601JT to wysokoprzepięciowy foto MOSFET przeznaczony do zastosowań w motoryzacji. ASR-601JT składa się z stopnia wejściowego diody LED AlGaAs, optycznie sprzężonego z obwodem detektora wyjścia wysokiego napięcia. Czujka składa się z wysokoprędkościowej diody fotowoltaicznej i układu sterownika, który umożliwia włączanie i wyłączanie dwóch dyskretnych tranzystorów MOSFET wysokiego napięcia. Foto MOSFET włącza się (styk zamyka się) przy minimalnym natężeniu prądu wejściowego 7 ma przez diodę LED wejścia. Photo MOSFET wyłącza się (styk rozwarty) przy napięciu wejściowym 0,4 V lub mniejszym.

Kompaktowy dwukierunkowy przełącznik sygnałowy półprzewodnikowy

Zgodność z wytycznymi dotyczącymi testów AEC-Q101

Napięcie przebicia, BVDSS 1500V przy IDSS = 250 μA

Tranzystory MOSFET klasy lawinowo

On-Resistance, RDS(ON) < 250Ω przy ILOAD = 10 ma

Włącz czas TONA < 4 ms

Wyłącz czas WYŁ < . 05 ms

Pakiet 300 mil SO-16

Przeciek i luz ≥ 8 mm (wejście-wyjście)

Przeciek > 5 mm (między stykami spustowymi tranzystorów MOSFET)

Powiązane linki