Transoptor ACPL-K308U-000E 1-kanałowy 8 Broadcom
- Nr art. RS:
- 253-9438P
- Nr części producenta:
- ACPL-K308U-000E
- Producent:
- Broadcom
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa 20 sztuk/i (dostarczane w tubie)*
232,20 zł
(bez VAT)
285,60 zł
(z VAT)
Dodaj 26 sztuk/i, aby uzyskać bezpłatną dostawę
W magazynie
- 2056 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 20 - 38 | 11,61 zł |
| 40 - 78 | 10,69 zł |
| 80 - 158 | 9,61 zł |
| 160 + | 8,91 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 253-9438P
- Nr części producenta:
- ACPL-K308U-000E
- Producent:
- Broadcom
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Broadcom | |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy | |
| Urządzenie wyjściowe | Fotowoltaiczne | |
| Maksymalne napięcie przekazania | 1.85V | |
| Liczba kanałów | 1 | |
| Liczba styków | 8 | |
| Seria | ACPL | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Broadcom | ||
Typ montażu Montaż powierzchniowy | ||
Urządzenie wyjściowe Fotowoltaiczne | ||
Maksymalne napięcie przekazania 1.85V | ||
Liczba kanałów 1 | ||
Liczba styków 8 | ||
Seria ACPL | ||
Sterownik fotowoltaiczny Broadcom został zaprojektowany do napędzania wysokonapięciowych tranzystorów MOSFET. Składa się z etapu wejścia diody świetlnej (LED) AlGaAs na podczerwień, optycznie sprzężonego z obwodem detektora wyjściowego. Detektor składa się z układu diod fotowoltaicznych o dużej prędkości i obwodu wyłączania. Ten sterownik fotowoltaiczny włącza się (styk zamyka) przy minimalnym prądzie wejściowym 5 mA przez diodę LED wejściową. Wyłącza się (styk się otwiera) przy napięciu wejściowym wynoszącym 0,8 V lub mniej.
Zakres temperatur pracy od 40°C do +125°C. Sterownik fotowoltaiczny do przetworników MOSFET wysokonapięciowych w zastosowaniach przekaźników półprzewodnikowych. Możliwość konfigurowania do szerokiej gamy przetworników MOSFET wysokonapięciowych z izolacją galwaniczną i wysokim napięciem izolacji wejściowo-wyjściowej
