IGBT Ic 80 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 349 W
- Nr art. RS:
- 124-1336
- Nr części producenta:
- FGH40N60SMD
- Producent:
- onsemi
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 tuba po 30 sztuk/i)*
488,94 zł
(bez VAT)
601,41 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
W magazynie
- 300 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Tubę* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 16,298 zł | 488,94 zł |
| 150 - 270 | 14,946 zł | 448,38 zł |
| 300 + | 14,573 zł | 437,19 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 124-1336
- Nr części producenta:
- FGH40N60SMD
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | onsemi | |
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 80 A | |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V | |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V | |
| Maksymalna strata mocy | 349 W | |
| Typ opakowania | TO-247 | |
| Typ montażu | Otwór przezierny | |
| Typ kanału | N | |
| Liczba styków | 3 | |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy | |
| Wymiary | 15.6 x 4.7 x 20.6mm | |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka onsemi | ||
Maksymalny ciągły prąd kolektora 80 A | ||
Maksymalne napięcie kolektor-emiter 600 V | ||
Maksymalne napięcie bramka-emiter ±20V | ||
Maksymalna strata mocy 349 W | ||
Typ opakowania TO-247 | ||
Typ montażu Otwór przezierny | ||
Typ kanału N | ||
Liczba styków 3 | ||
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy | ||
Wymiary 15.6 x 4.7 x 20.6mm | ||
Maksymalna temperatura robocza +175°C | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Dyskretne Fairchild Semiconductor
.
Moduły i dyskretne IGBT, Fairchild Semiconductor
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Powiązane linki
- IGBT Ic 80 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 349 W
- IGBT Ic 80 A Uce 600 V TO-247AB Pojedynczy kanał: N 349 W
- IGBT Ic 100 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 349 W
- IGBT Ic 50 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 349 W
- IGBT Ic 30 A Uce 1350 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 349 W
- IGBT Ic 80 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 283 W
- IGBT Ic 80 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 290 W
- IGBT Ic 80 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 250 W