IGBT Ic 100 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 349 W
- Nr art. RS:
- 123-8830
- Nr części producenta:
- NGTB25N120FL3WG
- Producent:
- onsemi
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 opakowanie po 2 sztuk/i)*
57,06 zł
(bez VAT)
70,18 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
W magazynie
- 8 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
- Dodatkowe 6 szt. dostępne od 12 grudnia 2025
- Dodatkowe 30 szt. dostępne od 15 grudnia 2025
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 28,53 zł | 57,06 zł |
| 20 + | 24,595 zł | 49,19 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 123-8830
- Nr części producenta:
- NGTB25N120FL3WG
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | onsemi | |
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 100 A | |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 1200 V | |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V | |
| Maksymalna strata mocy | 349 W | |
| Typ opakowania | TO-247 | |
| Typ montażu | Otwór przezierny | |
| Typ kanału | N | |
| Liczba styków | 3 | |
| Szybkość przełączania | 1MHz | |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy | |
| Wymiary | 16.25 x 5.3 x 21.4mm | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Pojemność bramki | 3085pF | |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka onsemi | ||
Maksymalny ciągły prąd kolektora 100 A | ||
Maksymalne napięcie kolektor-emiter 1200 V | ||
Maksymalne napięcie bramka-emiter ±20V | ||
Maksymalna strata mocy 349 W | ||
Typ opakowania TO-247 | ||
Typ montażu Otwór przezierny | ||
Typ kanału N | ||
Liczba styków 3 | ||
Szybkość przełączania 1MHz | ||
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy | ||
Wymiary 16.25 x 5.3 x 21.4mm | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Pojemność bramki 3085pF | ||
Maksymalna temperatura robocza +175°C | ||
Moduł IGBT Elementy dyskretne, ON Semiconductor
Izolowane tranzystory bipolarne (IGBT) do napędu silnika i innych zastosowań związanych z przełączaniem pod wysokim napięciem.
.
Moduł IGBT Elementy dyskretne, ON Semiconductor
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Powiązane linki
- IGBT Ic 100 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 349 W
- IGBT Ic 50 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 349 W
- IGBT Ic 30 A Uce 1350 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 349 W
- IGBT Ic 80 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 349 W
- IGBT Ic 75 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N
- IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 1 TO-247 kanał: N 361 W
- IGBT Ic 60 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 220 W
- IGBT Ic 100 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 750 W