IGBT Ic 75 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N
- Nr art. RS:
- 168-4435
- Nr części producenta:
- IXGH40N120B2D1
- Producent:
- IXYS
42 W magazynie, dostawa w ciągu 4 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Cena netto za szt. (w tubie á 30)
70,16 zł
(bez VAT)
86,29 zł
(z VAT)
Produkty | Za jednostkę | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 + | 70,16 zł | 2 104,71 zł |
*cena za opakowanie
- Nr art. RS:
- 168-4435
- Nr części producenta:
- IXGH40N120B2D1
- Producent:
- IXYS
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Dyskrety IGBT IXYS
.
Dyskretne moduły IGBT, IXYS
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 75 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 1200 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Typ opakowania | TO-247 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |