IGBT Ic 75 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N
- Nr art. RS:
- 168-4435
- Nr części producenta:
- IXGH40N120B2D1
- Producent:
- IXYS
Suma częściowa (1 tuba po 30 sztuk/i)*
1 743,18 zł
(bez VAT)
2 144,10 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
W magazynie
- 30 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Tubę* |
|---|---|---|
| 30 + | 58,106 zł | 1 743,18 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 168-4435
- Nr części producenta:
- IXGH40N120B2D1
- Producent:
- IXYS
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | IXYS | |
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 75 A | |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 1200 V | |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V | |
| Typ opakowania | TO-247 | |
| Typ montażu | Otwór przezierny | |
| Typ kanału | N | |
| Liczba styków | 3 | |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy | |
| Wymiary | 16.26 x 5.3 x 21.46mm | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka IXYS | ||
Maksymalny ciągły prąd kolektora 75 A | ||
Maksymalne napięcie kolektor-emiter 1200 V | ||
Maksymalne napięcie bramka-emiter ±20V | ||
Typ opakowania TO-247 | ||
Typ montażu Otwór przezierny | ||
Typ kanału N | ||
Liczba styków 3 | ||
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy | ||
Wymiary 16.26 x 5.3 x 21.46mm | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Maksymalna temperatura robocza +150°C | ||
Dyskrety IGBT IXYS
.
Dyskretne moduły IGBT, IXYS
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Powiązane linki
- IGBT Ic 75 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N
- IGBT Ic 75 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 480 W
- IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 1 TO-247 kanał: N 852 W
- IGBT Ic 75 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 500 W
- IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 1 TO-247 PLUS kanał: N 880 W
- IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 1 TO-247-4L kanał: N 652 W
- IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: P 938 W
- IGBT Ic 75 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N