onsemi IGBT Ic 10 A Uce 430 V TO-252 kanał: N 130 W 3-pinowy Powierzchnia

Zobacz wszystkie Tranzystory IGBT
Obecnie niedostępne
Nie wiemy, czy ten produkt będzie ponownie dostępny, został wycofywany przez producenta.
Nr art. RS:
166-3807
Nr części producenta:
ISL9V2040D3ST
Producent:
onsemi
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

onsemi

Typ produktu

IGBT

Maksymalny ciągły prąd kolektora Ic

10A

Maksymalne napięcie emitera kolektora Vceo

430V

Maksymalna strata mocy Pd

130W

Typ obudowy

TO-252

Typ montażu

Powierzchnia

Typ kanału

N

Liczba styków

3

Maksymalne napięcie bramka-emiter VGEO

±10 V

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Maksymalne napięcie nasycenia kolektor-emiter VceSAT

1.9V

Maksymalna temperatura robocza

175°C

Normy/Zatwierdzenia

RoHS

Seria

EcoSPARK

Norma motoryzacyjna

Nie

Energia znamionowa

200mJ

Dyskretne Fairchild Semiconductor


Moduły i dyskretne IGBT, Fairchild Semiconductor


Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.

Powiązane linki

Dowiedz się jako pierwszy o naszych najnowszych produktach i usługach

Adres e-mail

Dane osobowe przekazane nam podczas zapisywania się na listę mailingową będą przetwarzane zgodnie z naszą polityką prywatności.