MOSFET N-kanałowy 88 A TO-247 300 V Pojedynczy 600 W 40 miliomów

Zobacz wszystkie Tranzystory MOSFET
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 sztuka)*

53,61 zł

(bez VAT)

65,94 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • 51 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
1 - 553,61 zł
6 - 1449,27 zł
15 +46,86 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
193-559
Numer artykułu Elfa Distrelec:
302-53-337
Nr części producenta:
IXFH88N30P
Producent:
IXYS
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

IXYS

Typ kanału

N

Maksymalny ciągły prąd drenu

88 A

Maksymalne napięcie dren-źródło

300 V

Typ opakowania

TO-247

Seria

HiperFET, Polar

Typ montażu

Otwór przezierny

Liczba styków

3

Maksymalna rezystancja dren-źródło

40 miliomów

Tryb kanałowy

Rozszerzenie

Maksymalne napięcie progowe VGS

5V

Maksymalna strata mocy

600 W

Konfiguracja tranzystora

Pojedynczy

Maksymalne napięcie bramka-źródło

-20 V, +20 V

Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs

180 nC przy 10 V

Długość

16.26mm

Maksymalna temperatura robocza

+150 °C

Materiał tranzystora

Si

Liczba elementów na układ

1

Szerokość

5.3mm

Wysokość

21.46mm

Minimalna temperatura robocza

-55 °C

N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiperFET™ Polar™


Tranzystory N-kanałowe Power MOSFET z szybką diodą intrincyjną (HiPerFET™) firmy IXYS

.



Tranzystory MOSFET, IXYS


Szeroka gama Advanced dyskretnych urządzeń zasilających MOSFET firmy IXYS

Powiązane linki