MOSFET N-kanałowy 88 A TO-247 300 V Pojedynczy 600 W 40 miliomów
- Nr art. RS:
- 920-0732
- Nr części producenta:
- IXFH88N30P
- Producent:
- IXYS
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 tuba po 30 sztuk/i)*
1 417,02 zł
(bez VAT)
1 742,94 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
W magazynie
- 30 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Tubę* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 47,234 zł | 1 417,02 zł |
| 150 - 270 | 44,873 zł | 1 346,19 zł |
| 300 + | 42,605 zł | 1 278,15 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 920-0732
- Nr części producenta:
- IXFH88N30P
- Producent:
- IXYS
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | IXYS | |
| Typ kanału | N | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 88 A | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 300 V | |
| Typ opakowania | TO-247 | |
| Seria | HiperFET, Polar | |
| Typ montażu | Otwór przezierny | |
| Liczba styków | 3 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 40 miliomów | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 5V | |
| Maksymalna strata mocy | 600 W | |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V | |
| Liczba elementów na układ | 1 | |
| Długość | 16.26mm | |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C | |
| Materiał tranzystora | Si | |
| Szerokość | 5.3mm | |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 180 nC przy 10 V | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Wysokość | 21.46mm | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka IXYS | ||
Typ kanału N | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu 88 A | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło 300 V | ||
Typ opakowania TO-247 | ||
Seria HiperFET, Polar | ||
Typ montażu Otwór przezierny | ||
Liczba styków 3 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło 40 miliomów | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Maksymalne napięcie progowe VGS 5V | ||
Maksymalna strata mocy 600 W | ||
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V | ||
Liczba elementów na układ 1 | ||
Długość 16.26mm | ||
Maksymalna temperatura robocza +150°C | ||
Materiał tranzystora Si | ||
Szerokość 5.3mm | ||
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 180 nC przy 10 V | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Wysokość 21.46mm | ||
N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiperFET™ Polar™
Tranzystory N-kanałowe Power MOSFET z szybką diodą intrincyjną (HiPerFET™) firmy IXYS
.
Tranzystory MOSFET, IXYS
Szeroka gama Advanced dyskretnych urządzeń zasilających MOSFET firmy IXYS
Powiązane linki
- MOSFET N-kanałowy 88 A TO-247 300 V Pojedynczy 600 W 40 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 40 A TO-247 600 V Pojedynczy 300 W 79 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 14 A TO-247 600 V Pojedynczy 300 W 550 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 88 A TO-220 200 V Pojedynczy 300 W 11 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 30,8 A TO-220 600 V 230 W 88 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 69 A TO-247 300 V Pojedynczy 500 W 49 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 94 A TO-247 300 V Pojedynczy 1,04 kW 36 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 16 A TO-247 500 V Pojedynczy 300 W 400 miliomów
