MOSFET 2 N-kanałowy 8.1 A SOIC 30 V Powierzchnia Rozszerzenie Podwójny 8-pinowy 2 W 23 mΩ Infineon
- Nr art. RS:
- 130-1013P
- Nr części producenta:
- IRL6372TRPBF
- Producent:
- Infineon
Obecnie niedostępne
Przepraszamy, nie mamy informacji, czy ten produkt będzie jeszcze dostępny w magazynie. Zostanie on wkrótce usunięty z oferty RS.
- Nr art. RS:
- 130-1013P
- Nr części producenta:
- IRL6372TRPBF
- Producent:
- Infineon
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanału | N | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu Id | 8.1A | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło Vds | 30V | |
| Typ obudowy | SOIC | |
| Seria | HEXFET | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Liczba styków | 8 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds | 23mΩ | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Napięcie przewodzenia Vf | 1.2V | |
| Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs | 11nC | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs | 12V | |
| Maksymalna strata mocy Pd | 2W | |
| Konfiguracja tranzystora | Podwójny | |
| Maksymalna temperatura robocza | 150°C | |
| Szerokość | 4mm | |
| Długość | 5mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Wysokość | 1.5mm | |
| Liczba elementów na układ | 2 | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanału N | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu Id 8.1A | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło Vds 30V | ||
Typ obudowy SOIC | ||
Seria HEXFET | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Liczba styków 8 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds 23mΩ | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Napięcie przewodzenia Vf 1.2V | ||
Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs 11nC | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs 12V | ||
Maksymalna strata mocy Pd 2W | ||
Konfiguracja tranzystora Podwójny | ||
Maksymalna temperatura robocza 150°C | ||
Szerokość 4mm | ||
Długość 5mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Wysokość 1.5mm | ||
Liczba elementów na układ 2 | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
MOSFET o mocy 30 V, Infineon
Dyskretne tranzystory zasilające MOSFET HEXFET® firmy Infineon zawierają urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych. I wielkości obudowy, które mogą sprostać niemal każdemu wyzwaniu związanemu z projektem płyty głównej i projektem termicznym. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.