MOSFET Typ P-kanałowy 10 A MLP 12 V Rozszerzenie 6-pinowy Powierzchnia 2.4 W onsemi 82 mΩ
- Nr art. RS:
- 166-3187
- Nr części producenta:
- FDMA905P
- Producent:
- onsemi
Obecnie niedostępne
Przepraszamy, nie mamy informacji, czy ten produkt będzie jeszcze dostępny w magazynie. Zostanie on wkrótce usunięty z oferty RS.
- Nr art. RS:
- 166-3187
- Nr części producenta:
- FDMA905P
- Producent:
- onsemi
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | onsemi | |
| Typ kanału | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu Id | 10A | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło Vds | 12V | |
| Seria | PowerTrench | |
| Typ obudowy | MLP | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Liczba styków | 6 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds | 82mΩ | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs | -8V, +8V | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs | 21nC | |
| Napięcie przewodzenia Vf | -1.2V | |
| Maksymalna strata mocy Pd | 2.4W | |
| Maksymalna temperatura robocza | 150°C | |
| Szerokość | 2mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Długość | 2mm | |
| Wysokość | 0.725mm | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka onsemi | ||
Typ kanału Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu Id 10A | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło Vds 12V | ||
Seria PowerTrench | ||
Typ obudowy MLP | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Liczba styków 6 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds 82mΩ | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs -8V, +8V | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs 21nC | ||
Napięcie przewodzenia Vf -1.2V | ||
Maksymalna strata mocy Pd 2.4W | ||
Maksymalna temperatura robocza 150°C | ||
Szerokość 2mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Długość 2mm | ||
Wysokość 0.725mm | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
PowerTrench® P-Channel MOSFET, firma Fairchild Semiconductor
Tranzystory PowerTTrench® MOSFET to zoptymalizowane przełączniki mocy, które zwiększają wydajność systemu i gęstość mocy. Łączą one mały ładunek (QG) bramki, mały ładunek odzyskiwania wstecznego (Qrr) i diodę miękkiego powrotu do tyłu, co przyczynia się do szybkiego przełączania synchronicznego prostownika w zasilaczach AC/DC.
Najnowsze tranzystory PowerTrench® MOSFET tworzą ekranowaną strukturę, która zapewnia równowagę opłat. Dzięki wykorzystaniu tej Advanced Technology, FOM (rysunek połączenia) tych urządzeń jest znacznie niższy niż poprzednich generacji.
Wydajność diod z miękkiej obudowy tranzystorów MOSFET PowerTTrench® pozwala wyeliminować obwody tabakowe lub zastąpić wyższy stopień napięcia MOSFET.
Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym
On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.