MOSFET N-kanałowy 16 A TO-252 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 90 W onsemi 47 mΩ
- Nr art. RS:
- 166-3194
- Nr części producenta:
- RFD16N06LESM9A
- Producent:
- onsemi
Suma częściowa (1 rolka po 2500 sztuk/i)*
9 302,50 zł
(bez VAT)
11 442,50 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 19 kwietnia 2027
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Na Rolki* |
|---|---|---|
| 2500 + | 3,721 zł | 9 302,50 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 166-3194
- Nr części producenta:
- RFD16N06LESM9A
- Producent:
- onsemi
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | onsemi | |
| Typ kanału | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu Id | 16A | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło Vds | 60V | |
| Seria | RFD16N06LESM | |
| Typ obudowy | TO-252 | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Liczba styków | 3 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds | 47mΩ | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs | -8V, +10V | |
| Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs | 51nC | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Maksymalna strata mocy Pd | 90W | |
| Maksymalna temperatura robocza | 175°C | |
| Długość | 6.73mm | |
| Wysokość | 2.39mm | |
| Szerokość | 6.22mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka onsemi | ||
Typ kanału N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu Id 16A | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło Vds 60V | ||
Seria RFD16N06LESM | ||
Typ obudowy TO-252 | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Liczba styków 3 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds 47mΩ | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs -8V, +10V | ||
Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs 51nC | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Maksymalna strata mocy Pd 90W | ||
Maksymalna temperatura robocza 175°C | ||
Długość 6.73mm | ||
Wysokość 2.39mm | ||
Szerokość 6.22mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
Tryb powiększenia N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Tranzystory FET (ang. Field Effect Transistors) trybu poprawy są produkowane przy użyciu zastrzeżonej technologii DMOS firmy Fairchild, o dużej gęstości komórek. Ten proces o dużej gęstości został zaprojektowany tak, aby zminimalizować odporność na zmiany stanu, zapewnić solidną i niezawodną wydajność oraz szybkie przełączanie.
Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym
On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.