MOSFET Typ P-kanałowy 8.8 A SOIC 30 V Rozszerzenie 8-pinowy Lutowie 2.5 W onsemi 35 mΩ
- Nr art. RS:
- 166-3246
- Nr części producenta:
- SI4435DY
- Producent:
- onsemi
Suma częściowa (1 rolka po 2500 sztuk/i)*
2 940,00 zł
(bez VAT)
3 615,00 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
Ostatni magazyn RS
- Ostatnie 2500 sztuk, gotowe do wysyłki z innej lokalizacji
Produkty | Za jednostkę | Na Rolki* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,176 zł | 2 940,00 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 166-3246
- Nr części producenta:
- SI4435DY
- Producent:
- onsemi
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanału | Typ P | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu Id | 8.8A | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło Vds | 30V | |
| Seria | PowerTrench | |
| Typ obudowy | SOIC | |
| Typ montażu | Lutowie | |
| Liczba styków | 8 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds | 35mΩ | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Maksymalna strata mocy Pd | 2.5W | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs | 17nC | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs | -20V, +20V | |
| Napięcie przewodzenia Vf | 1.2V | |
| Maksymalna temperatura robocza | 175°C | |
| Długość | 4.9mm | |
| Szerokość | 3.9mm | |
| Wysokość | 1.57mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanału Typ P | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu Id 8.8A | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło Vds 30V | ||
Seria PowerTrench | ||
Typ obudowy SOIC | ||
Typ montażu Lutowie | ||
Liczba styków 8 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds 35mΩ | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Maksymalna strata mocy Pd 2.5W | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs 17nC | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs -20V, +20V | ||
Napięcie przewodzenia Vf 1.2V | ||
Maksymalna temperatura robocza 175°C | ||
Długość 4.9mm | ||
Szerokość 3.9mm | ||
Wysokość 1.57mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
PowerTrench® P-Channel MOSFET, firma Fairchild Semiconductor
Tranzystory PowerTTrench® MOSFET to zoptymalizowane przełączniki mocy, które zwiększają wydajność systemu i gęstość mocy. Łączą one mały ładunek (QG) bramki, mały ładunek odzyskiwania wstecznego (Qrr) i diodę miękkiego powrotu do tyłu, co przyczynia się do szybkiego przełączania synchronicznego prostownika w zasilaczach AC/DC.
Najnowsze tranzystory PowerTrench® MOSFET tworzą ekranowaną strukturę, która zapewnia równowagę opłat. Dzięki wykorzystaniu tej Advanced Technology, FOM (rysunek połączenia) tych urządzeń jest znacznie niższy niż poprzednich generacji.
Wydajność diod z miękkiej obudowy tranzystorów MOSFET PowerTTrench® pozwala wyeliminować obwody tabakowe lub zastąpić wyższy stopień napięcia MOSFET.
Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym
On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.