MOSFET 2 Typ P, Typ N-kanałowy 4.5 A SOIC 60 V Powierzchnia Rozszerzenie Izolowany 8-pinowy 2 W 55 mΩ onsemi
- Nr art. RS:
- 166-3247
- Nr części producenta:
- FDS4559
- Producent:
- onsemi
Suma częściowa (2500 sztuk/i, na szpuli zawierającej 2500)*
10 095,00 zł
(bez VAT)
12 417,50 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
Niedobór dostaw
- 2500 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Nasze obecne zapasy są ograniczone, a nasi dostawcy spodziewają się problemów z dostawą.
Produkty | Za jednostkę | Na Rolki* |
|---|---|---|
| 2500 + | 4,038 zł | 10 095,00 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 166-3247
- Nr części producenta:
- FDS4559
- Producent:
- onsemi
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | onsemi | |
| Typ kanału | Typ P, Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu Id | 4.5A | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło Vds | 60V | |
| Typ obudowy | SOIC | |
| Seria | PowerTrench | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Liczba styków | 8 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds | 55mΩ | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs | 12.5nC | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Maksymalna strata mocy Pd | 2W | |
| Napięcie przewodzenia Vf | 0.8V | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs | -20, +20V | |
| Konfiguracja tranzystora | Izolowany | |
| Maksymalna temperatura robocza | 175°C | |
| Wysokość | 1.5mm | |
| Długość | 5mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Szerokość | 4mm | |
| Liczba elementów na układ | 2 | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka onsemi | ||
Typ kanału Typ P, Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu Id 4.5A | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło Vds 60V | ||
Typ obudowy SOIC | ||
Seria PowerTrench | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Liczba styków 8 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds 55mΩ | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs 12.5nC | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Maksymalna strata mocy Pd 2W | ||
Napięcie przewodzenia Vf 0.8V | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs -20, +20V | ||
Konfiguracja tranzystora Izolowany | ||
Maksymalna temperatura robocza 175°C | ||
Wysokość 1.5mm | ||
Długość 5mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Szerokość 4mm | ||
Liczba elementów na układ 2 | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, firma Fairchild Semiconductor
Tranzystory PowerTTrench® MOSFET to zoptymalizowane przełączniki mocy, które zwiększają wydajność systemu i gęstość mocy. Łączą one mały ładunek (QG) bramki, mały ładunek odzyskiwania wstecznego (Qrr) i diodę miękkiego powrotu do tyłu, co przyczynia się do szybkiego przełączania synchronicznego prostownika w zasilaczach AC/DC.
Najnowsze tranzystory PowerTrench® MOSFET, wykorzystujące ekranowaną strukturę bramki zapewniającą równowagę ładowania. Dzięki wykorzystaniu tej Advanced Technology, FOM (rysunek połączenia) tych urządzeń jest znacznie niższy niż w poprzedniej generacji.
Wydajność diod z miękkiej obudowy tranzystorów MOSFET PowerTTrench® umożliwia wyeliminowanie obwodu tabakorowego lub zastąpienie wyższego poziomu napięcia MOSFET.
Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym
On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Powiązane linki
- MOSFET 2 Typ P, Typ N-kanałowy 4.5 A SOIC 60 V Powierzchnia Rozszerzenie Izolowany 8-pinowy 2 W 55 mΩ onsemi FDS4559
- MOSFET 2 N-kanałowy 4.5 A SOIC 100 V Powierzchnia Rozszerzenie Izolowany 8-pinowy 2.5 W 123 mΩ onsemi
- MOSFET 2 N-kanałowy 4.5 A SOIC 100 V Powierzchnia Rozszerzenie Izolowany 8-pinowy 2.5 W 123 mΩ onsemi FDS3992
- MOSFET 2 Typ P, Typ N-kanałowy 6.4 A SOIC 30 V Powierzchnia Rozszerzenie Izolowany 8-pinowy 2 W 80 mΩ onsemi
- MOSFET 2 Typ P, Typ N-kanałowy 6.5 A SOIC 20 V Powierzchnia Rozszerzenie Izolowany 8-pinowy 2 W 90 mΩ onsemi
- MOSFET 2 Typ P-kanałowy 4.5 A SOIC 100 V Powierzchnia Rozszerzenie 8-pinowy 3.1 W 83 mΩ onsemi
- MOSFET 2 Typ P, Typ N-kanałowy 6.4 A SOIC 30 V Powierzchnia Rozszerzenie Izolowany 8-pinowy 2 W 80 mΩ onsemi FDS8958B
- MOSFET 2 Typ P, Typ N-kanałowy 6.5 A SOIC 20 V Powierzchnia Rozszerzenie Izolowany 8-pinowy 2 W 90 mΩ onsemi FDS9934C