MOSFET N-kanałowy 48 A WDFN 80 V Rozszerzenie 8-pinowy Powierzchnia 78 W onsemi 29 mΩ
- Nr art. RS:
- 166-3289
- Nr części producenta:
- FDMS3572
- Producent:
- onsemi
Suma częściowa (3000 sztuk/i, na szpuli zawierającej 3000)*
16 995,00 zł
(bez VAT)
20 904,00 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 23 sierpnia 2027
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Na Rolki* |
|---|---|---|
| 3000 + | 5,665 zł | 16 995,00 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 166-3289
- Nr części producenta:
- FDMS3572
- Producent:
- onsemi
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanału | N | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu Id | 48A | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło Vds | 80V | |
| Typ obudowy | WDFN | |
| Seria | UltraFET | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Liczba styków | 8 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds | 29mΩ | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs | 28nC | |
| Maksymalna strata mocy Pd | 78W | |
| Napięcie przewodzenia Vf | 0.8V | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs | -20V, +20V | |
| Maksymalna temperatura robocza | 150°C | |
| Szerokość | 6mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Wysokość | 0.75mm | |
| Długość | 5mm | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanału N | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu Id 48A | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło Vds 80V | ||
Typ obudowy WDFN | ||
Seria UltraFET | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Liczba styków 8 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds 29mΩ | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs 28nC | ||
Maksymalna strata mocy Pd 78W | ||
Napięcie przewodzenia Vf 0.8V | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs -20V, +20V | ||
Maksymalna temperatura robocza 150°C | ||
Szerokość 6mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Wysokość 0.75mm | ||
Długość 5mm | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
MOSFET UtraFET® trench łączy w sobie cechy, które umożliwiają uzyskanie wydajności w zastosowaniach konwersji mocy. Urządzenie jest w stanie wytrzymać wysoką energię w trybie lawinowym, a dioda wykazuje bardzo niski czas powrotu do tyłu i przechowywany ładunek. Optymalizacja pod kątem wydajności przy wysokich częstotliwościach, najkrótszy system RDS(on), niski poziom ESR oraz niski poziom naładowania w sumie i niski poziom naładowania przy wyjściu Millera.
Zastosowania w konwerterach DC-DC o wysokiej częstotliwości, regulatorach przełączających, sterownikach silników, przełącznikach magistrali niskiego napięcia i zarządzaniu zasilaniem.
Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym
On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Powiązane linki
- MOSFET N-kanałowy 48 A WDFN 80 V Rozszerzenie 8-pinowy Powierzchnia 78 W onsemi 29 mΩ FDMS3572
- MOSFET N-kanałowy 14 A WDFN 250 V Rozszerzenie 8-pinowy Powierzchnia 78 W onsemi 258 mΩ
- MOSFET N-kanałowy 20 A WDFN 200 V Rozszerzenie 8-pinowy Powierzchnia 78 W onsemi 156 mΩ
- MOSFET N-kanałowy 14 A WDFN 250 V Rozszerzenie 8-pinowy Powierzchnia 78 W onsemi 258 mΩ FDMS2734
- MOSFET N-kanałowy 20 A WDFN 200 V Rozszerzenie 8-pinowy Powierzchnia 78 W onsemi 156 mΩ FDMS2672
- MOSFET N-kanałowy 29 A WDFN 30 V Rozszerzenie 8-pinowy Powierzchnia 4.2 W onsemi 3.1 mΩ
- MOSFET N-kanałowy 29 A WDFN 30 V Rozszerzenie 8-pinowy Powierzchnia 4.2 W onsemi 3.1 mΩ NTTFS4C02NTAG
- MOSFET N-kanałowy 14 A WDFN 80 V Rozszerzenie 8-pinowy Powierzchnia 23 W onsemi 50 mΩ