MOSFET N-kanałowy 5.5 A SSOT 30 V Rozszerzenie 6-pinowy Powierzchnia 1.6 W onsemi 48 mΩ
- Nr art. RS:
- 166-3306
- Nr części producenta:
- FDC645N
- Producent:
- onsemi
Suma częściowa (1 rolka po 3000 sztuk/i)*
6 591,00 zł
(bez VAT)
8 106,00 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 17 maja 2027
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Na Rolki* |
|---|---|---|
| 3000 + | 2,197 zł | 6 591,00 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 166-3306
- Nr części producenta:
- FDC645N
- Producent:
- onsemi
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | onsemi | |
| Typ kanału | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu Id | 5.5A | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło Vds | 30V | |
| Typ obudowy | SSOT | |
| Seria | PowerTrench | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Liczba styków | 6 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds | 48mΩ | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Maksymalna strata mocy Pd | 1.6W | |
| Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs | 13nC | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Napięcie przewodzenia Vf | 0.7V | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs | -12V, +12V | |
| Maksymalna temperatura robocza | 150°C | |
| Szerokość | 1.7mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Wysokość | 1mm | |
| Długość | 3mm | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka onsemi | ||
Typ kanału N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu Id 5.5A | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło Vds 30V | ||
Typ obudowy SSOT | ||
Seria PowerTrench | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Liczba styków 6 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds 48mΩ | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Maksymalna strata mocy Pd 1.6W | ||
Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs 13nC | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Napięcie przewodzenia Vf 0.7V | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs -12V, +12V | ||
Maksymalna temperatura robocza 150°C | ||
Szerokość 1.7mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Wysokość 1mm | ||
Długość 3mm | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, do 9.9A, Fairchild Semiconductor
Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym
On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Powiązane linki
- MOSFET N-kanałowy 5.5 A SSOT 30 V Rozszerzenie 6-pinowy Powierzchnia 1.6 W onsemi 48 mΩ FDC645N
- MOSFET N-kanałowy 6.3 A SSOT 30 V Rozszerzenie 6-pinowy Powierzchnia 1.6 W onsemi 36 mΩ
- MOSFET N-kanałowy 6.3 A SSOT 30 V Rozszerzenie 6-pinowy Powierzchnia 1.6 W onsemi 36 mΩ FDC655BN
- MOSFET Typ P-kanałowy 5.5 A SOT-23 20 V Rozszerzenie 6-pinowy Powierzchnia 1.6 W onsemi 53 mΩ
- MOSFET Typ P-kanałowy 5.5 A SOT-23 20 V Rozszerzenie 6-pinowy Powierzchnia 1.6 W onsemi 60 mΩ
- MOSFET Typ P-kanałowy 5.5 A SOT-23 20 V Rozszerzenie 6-pinowy Powierzchnia 1.6 W onsemi 53 mΩ FDC602P
- MOSFET Typ P-kanałowy 5.5 A SOT-23 20 V Rozszerzenie 6-pinowy Powierzchnia 1.6 W onsemi 60 mΩ FDC604P
- MOSFET 2 Typ P, Typ N-kanałowy 3 A SSOT 20 V Powierzchnia Rozszerzenie Izolowany 6-pinowy 960 mW 190 mΩ onsemi